[发明专利]一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011573487.4 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112813385B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 董显林;李宜冠;周志勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 择优取向 铌酸铋钙 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法为脉冲激光沉积法，包括：
将CaBi2Nb2O9靶材放入脉冲激光沉积系统腔体中，薄膜生长的衬底为Pt/Ti/SiO2/Si衬底，调节靶材与衬底的距离为30～70mm，在小于10-6mbar的真空度下加热至600～800℃；向腔体内通入氧气使腔体压力维持在0.08mbar～0.1mbar，用脉冲激光对CaBi2Nb2O9陶瓷靶材进行烧蚀，退火降温后得到铌酸铋钙薄膜；
所述CaBi2Nb2O9靶材按照CaBi2Nb2O9分子式的化学计量比配料，并使Bi过量2.5%～10%摩尔比；
所述退火降温包括：铌酸铋钙薄膜沉积完成后，在氧气氛围内保温一定时间，自然冷却至室温，得到所述铌酸铋钙薄膜；其中所述氧气氛围的压力为100mbar～500mbar；所述保温时间为10～60min。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CaBi2Nb2O9靶材由CaCO3、Bi2O3、Nb2O5通过固相法烧结而成，烧结的温度为1050～1200℃，保温时间1～3h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光能量密度为2～5J/cm2，频率为2～8Hz，脉冲次数为5000～30000次。
4.一种权利要求1至3中任一项所述制备方法得到的c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜，其特征在于，所述铌酸铋钙薄膜组分呈岛状生长。
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