[发明专利]光子晶体薄膜及其制备方法

权利要求书

1.光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、制备聚合物纳米微球乳液；

S2、对所述聚合物纳米微球乳液干燥，得到纳米微球团聚体；

S3、将所述纳米微球团聚体投入开炼机内，得到连续片材；

S4、所述连续片材与上下两层包覆膜复合后，经辊压处理，得到复合膜材；

S5、将所述复合膜材经过震荡剪切规整设备，得到位于上下两层所述包覆膜之间的所述聚合物纳米微球三维有序排列的光子晶体薄膜。

2.根据权利要求1所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

在S2中，将所述聚合物纳米微球乳液干燥至含水量小于5％，得到所述纳米微球团聚体。

3.根据权利要求1所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

所述开炼机包括第一辊筒和第二辊筒，所述第一辊筒与所述第二辊筒相对回转，所述第一辊筒的转速小于所述第二辊筒的转速，第一辊筒与第二辊筒的转速比为1:1.1～1：1.5。

4.根据权利要求2所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

所述第二辊筒的辊筒温度大于或等于所述第一辊筒温度，所述第一辊筒与第二辊筒之间的温度差为0℃～25℃。

5.根据权利要求4所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

所述第一辊筒的辊筒温度为10℃～75℃。

6.根据权利要求2所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

所述第一辊筒与所述第二辊筒之间的间距为1mm～10mm。

7.根据权利要求1所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

在S3中，对所述连续片材进行多次打三角包循环开炼处理，所述打三角包循环开炼处理的次数为1次～50次。

8.根据权利要求1至7任一项所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

所述聚合物纳米微球的最外壳层通过至少一种以上的单体聚合而成，所述单体包括苯乙烯，二乙烯基苯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酸-3-羟基丙酯、丙烯酸-2-羟基丁酯、丙烯酸-5-羟基戊酯、丙烯酸-6-羟基己酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯和/或甲基丙烯酸-3-羟基丙酯、甲基丙烯酸或丙烯酸。

9.根据权利要求8所述的光子晶体薄膜制备方法，其特征在于：

所述聚合物纳米微球的最外壳层通过至少一种以上的单体聚合而成，所述单体包括甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸铵、苯乙烯、顺丁烯二酸或甲基丙烯酸异冰片酯。

10.光子晶体薄膜，其特征在于：通过权利要求1至9任一项所述的光子晶体薄膜制备方法制备得到。