[发明专利]一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片及其制备方法

权利要求书

1.一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：

（1）对纳米晶带材进行热处理，然后在纳米晶带材表面覆保护膜；

（2）将步骤（1）覆保护膜的纳米晶带材进行纵向辊剪处理，得到具有均匀纵向条状纹路割裂的纳米晶导磁薄片；

（3）对步骤（2）获得的纳米晶导磁薄片标记出中心区域和外围屏蔽区域；

（4）对步骤（3）所得纳米晶导磁薄片的外围屏蔽区域进行二次模压破碎以获得低于中心区域导磁薄片的磁导率，得到所述无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片；

步骤（2）中所述纵向条状纹路割裂的宽度为0.5~2mm，所得纳米晶导磁薄片在100kHz频率的磁导率为3000~6000；

步骤（4）中所述外围屏蔽区域经二次模压破碎后为均匀的网格状碎裂，所得外围屏蔽区域的磁导率为500以下。

2.根据权利要求1所述的一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述纳米晶带材为厚度为7~28μm的铁基纳米晶带材。

3.根据权利要求1所述的一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述热处理温度为500~650℃，热处理气氛为氮气、氢气或者真空。

4.根据权利要求1所述的一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述保护膜材料为PET、PE、OPP、PVC、CPP或BOPP中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述中心区域的面积为1200~3600 mm²，所述外围屏蔽区域的面积为500~3000 mm²。

6.根据权利要求1所述的一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述中心区域的形状为圆形或矩形，所述外围屏蔽区域的边界为矩形。

7.根据权利要求1所述的一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（4）获得的纳米晶导磁薄片进一步进行多层贴合，得到多层纳米晶导磁薄片，并在多层纳米晶导磁薄片最外层贴合散热层；所述散热层为石墨、导热胶或者二者的复合层。

8.一种无线充电及近场通讯用纳米晶导磁薄片，其特征在于：通过权利要求1~7任一项所述的方法制备得到；所述纳米晶导磁薄片的中心区域实现无线充电功能，外围屏蔽区域实现近场通讯功能。