[发明专利]一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法

权利要求书

1.一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1.选取介质材料用于制作基底与微结构，所述基底用于支撑微结构；

步骤2.设计微结构，所述微结构满足仅改变结构尺寸即可覆盖0-2π相位调制深度，且所述微结构可设计为宽频带相位调制；

步骤3.读取固态发光芯片或芯片阵列光源的相位分布；

步骤4.根据光源相位分布确定不同调制深度的微结构的摆放位置；

步骤5.加工全介质超材料相位调控元件，所述相位调控元件包括基底与微结构；

步骤6.将加工好的相位调控元件与光源进行封装；

所述步骤5中可采用化学沉淀或刻蚀的方式加工全介质超材料相位调控元件；

所述全介质超材料相位调控元件的加工方式为：先采用化学气相淀积在基底上方沉积设计厚度的微结构介质材料，然后采用深反应离子束刻蚀技术进行刻蚀，刻蚀出不同尺寸的微结构。

2.根据权利要求1所述的一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法，其特征在于，所述步骤6中封装元件与光源时，元件与光源间的间隙不超过预设间隙阈值。

3.根据权利要求1所述的一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法，其特征在于，所述光源为固态发光芯片或由复数个固态发光芯片构成的固态发光芯片阵列。

4.根据权利要求3所述的一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法，其特征在于，所述微结构在基底一面或两面按照特定相位分布排布并构成微结构阵列。

5.根据权利要求4所述的一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法，其特征在于，所述微结构的形状为任意三维立体结构形状。

6.根据权利要求5所述的一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法，其特征在于，所述微结构的形状为工字型、圆形、方形、矩形、十字型或V型。

7.根据权利要求4所述的一种准直固态发光芯片或芯片阵列光源的方法，其特征在于，所述微结构阵列是根据固态发光芯片或固态发光芯片阵列的相位分布来排布微结构，具体根据光源波前相位φ(x，y)得出与平面波前相位差△φ(x，y)，再根据△φ(x，y)排布该调制深度的微结构。