[发明专利]一种MTJ结构中固定层的优化方法

权利要求书

1.一种MTJ结构中固定层的优化方法，包括以下步骤：

减小固定层磁性层的厚度；调节各磁性层的磁矩，使得固定层在自由层处的偏置场符合设定值。

2.根据权利要求1所述的优化方法，其特征在于，所述减小固定层磁性层的厚度；调节各磁性层的磁矩包括：

a)减小第一钉扎层PL1的厚度，并提高第一钉扎层PL1的磁矩；

b)减小第二钉扎层PL2的磁矩，并降低第二钉扎层PL2的厚度；

c)减小参考层RL的厚度，并降低参考层RL的磁矩。

3.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，还包括：

优化结构调整层TL。

4.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，步骤a)中所述减小第一钉扎层PL1的厚度的过程具体为：

降低(Co/Pt)n多层中Co和Pt的厚度到每个分子层。

5.根据权利要求4所述的优化方法，其特征在于，每层Co的厚度为每层Pt的厚度为n为4～8。

6.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，步骤a)中所述提高第一钉扎层PL1的磁矩的方式为采用高磁饱和磁化Ms的Co合金；所述高磁饱和磁化Ms的Co合金选自Co_xFe_1-x或CoFeNi，其中，x为0.1～0.4。

7.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，所述步骤a)还包括：

增加与反铁磁耦合层AFC接触的Co层或Co合金层的厚度。

8.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，步骤b)中所述减小第二钉扎层PL2的磁矩的方式为采用低磁饱和磁化Ms的磁性层。

9.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，步骤b)中所述降低第二钉扎层PL2的厚度的过程具体为：

降低(Co/Pt)n多层中Co和Pt的厚度到每个分子层。

10.根据权利要求9所述的优化方法，其特征在于，每层Co的厚度为每层Pt的厚度为n为2～5。

11.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，所述步骤b)还包括：

使与反铁磁耦合层AFC接触的Co层厚度大于(Co/Pt)n多层中其他Co层厚度。

12.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，步骤c)中所述优化结构调整层TL的方式包括采用对B吸收强的重金属材料、采用非磁性材料和降低结构调整层TL的厚度中的一种或多种。

13.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，步骤d)中所述减小参考层RL的厚度至≤1nm。

14.根据权利要求2所述的优化方法，其特征在于，步骤d)中所述降低参考层RL的磁矩的方式为采用低磁饱和磁化Ms同时阻尼因子高的铁磁材料。

15.一种MTJ结构，其特征在于，包括权利要求2～14任一项所述的优化方法形成的固定层。