[发明专利]连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法

权利要求书

1.连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：以多晶硅废料为原料生产六氯二硅烷粗料的步骤，所述六氯二硅烷粗料中六氯二硅烷纯度75-85%；

S2：以六氯二硅烷粗料为原料生产电子级六氯二硅烷的步骤；

所述S1步骤包括：

S1.1：多晶硅废料进入1塔，1塔顶采出以四氯化硅为主的轻组分进入2塔；

S1.2：2塔顶采出化工用四氯化硅，2塔釜含甲基硅烷高沸物的四氯化硅继续回1塔分离；

S1.3：1塔釜含六氯二硅烷的高沸物进入3塔，3塔顶采出所述六氯二硅烷粗料，3塔釜残渣排出；

S2中所述步骤包括：

S2.1：六氯二硅烷粗料进入脱重组分塔，高沸物、高聚硅和固体残渣从塔釜排出；

S2.2：塔顶组分送入脱轻组分塔，加入分离媒介去除轻组分；

S2.3：塔釜料进入脱铝塔，含铝高的釜料从塔釜返回脱重组分塔，铝在脱重组分塔釜聚集，与其它组分一起从脱重组分塔釜排出；

S2.4：经过脱铝后的物料进入高纯塔，进一步脱出高沸物从塔釜返回脱铝塔，电子级六氯二硅烷从塔顶采出；

S2.2中所述分离媒介为能与六氯二硅氧烷形成正偏差、与六氯二硅烷形成负偏差的物质；

S2.1中，脱重组分塔塔顶温度145±2℃，塔釜温度170±5℃，塔顶压力0.02MPa，塔釜压力0.03 MPa；

S2.4中，高纯塔塔顶温度145±2℃，塔釜温度160±2℃，塔顶压力0.02MPa，塔釜压力0.03 MPa。

2.根据权利要求1所述连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法，其特征在于：所述分离媒介为沸点在50℃以下的硅烷或沸点在0℃以下的惰性气体。

3.根据权利要求1所述连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法，其特征在于：S2.2中，脱轻组分塔塔顶温度150±2℃，塔釜温度170±5℃，塔顶压力0.02MPa，塔釜压力0.03MPa。

4.根据权利要求1所述连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法，其特征在于：S2.3中，脱铝塔塔顶温度120±2℃，塔釜温度150±5℃，塔顶压力-0.01MPa，塔釜压力0.00 MPa。

5.根据权利要求1所述连续精馏法生产电子级六氯二硅烷的方法，其特征在于：所述电子级六氯二硅烷的纯度99.95%以上，以金属元素表示的纯度99.999-99.99999%。