[发明专利]存储器系统及相关方法和计算机可读存储介质有效
申请号: | 202011491775.5 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN113094293B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 赵宁;李鋆;S·维拉尼;Z·A·P·沃格尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0866 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 相关 方法 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种用于操作存储器系统的方法,其包括:
从主机系统接收第一写入命令,所述第一写入命令包括用于在存储器子系统的传送单元的第一地址处进行写入的第一数据,所述第一写入命令与第一标识符相关联;
至少部分地基于接收所述第一写入命令发出内部读取命令以检索存储在所述存储器子系统的所述传送单元中的数据;
从所述主机系统接收第二写入命令,所述第二写入命令包括用于在所述存储器子系统的所述传送单元的第二地址处进行写入的第二数据,所述第二写入命令与第二标识符相关联;
至少部分地基于接收所述第二写入命令,确定由所述内部读取命令发起的内部读取操作未完成;
至少部分地基于确定所述内部读取操作未完成,将所述第一标识符与所述第二标识符链接;以及
至少部分地基于将所述第一标识符与所述第二标识符链接发出内部写入命令,所述内部写入命令包含与所述第一写入命令相关联的所述第一数据和与所述第二写入命令相关联的所述第二数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于接收所述第二写入命令,将所述第二标识符与存储在写入缓冲器中的所述存储器子系统的多个传送单元的标识符进行比较;以及
至少部分基于将所述第二标识符与所述存储器子系统的所述多个传送单元的所述标识符进行比较而确定所述第二标识符存储在所述写入缓冲器中,其中发出所述内部读取命令是至少部分地基于确定所述第二标识符存储在所述写入缓冲器中。
3.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于接收所述第二写入命令将所述第一数据和所述第二数据存储到所述写入缓冲器,其中将所述第一标识符与所述第二标识符链接是至少部分地基于将所述第一数据和所述第二数据存储到所述写入缓冲器。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
至少部分地基于所述第一地址将所述第一标识符分配给所述第一写入命令,其中发出所述内部读取命令是至少部分地基于分配所述第一标识符;以及
至少部分地基于所述第二地址将所述第二标识符分配给所述第二写入命令,其中将所述第一标识符与所述第二标识符链接是至少部分地基于分配所述第二标识符。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
从所述主机系统接收第三写入命令,所述第三写入命令包括用于在所述存储器子系统的所述传送单元的第三地址处进行写入的第三数据,所述第三写入命令与第三标识符相关联;以及
将所述第三标识符与所述第一标识符和所述第二标识符链接,其中所述内部写入命令包含与所述第三写入命令相关联的所述第三数据。
6.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
识别所述内部读取操作已完成,其中发出所述内部写入命令发生在所述内部读取操作完成之后并且至少部分地基于识别所述内部读取操作已完成。
7.根据权利要求6所述的方法,其中在所述内部读取操作完成之前接收所述第二写入命令。
8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
从所述主机系统接收用于在所述存储器子系统的第二传送单元的地址处进行写入的写入命令,其中发出所述内部写入命令是至少部分地基于接收用于在所述第二传送单元的所述地址处进行写入的所述写入命令。
9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
在发出所述内部读取命令之后从所述主机系统接收多个写入命令,所述多个写入命令包括用于所述存储器子系统的数据,所述多个写入命令中的每一个与相应标识符相关联;以及
至少部分地基于接收所述多个写入命令将所述相应标识符中的每一个与所述第一标识符和所述第二标识符链接,其中所述内部写入命令包含与从所述主机系统接收到的所述多个写入命令中的每一个相关联的所述数据。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011491775.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件的制造方法
- 下一篇:用于钝化全正面深沟槽隔离结构的方法