[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法，本发明提供的半导体器件的制造方法包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅层的第二基板的步骤；通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅层的步骤；在上述第二基板的硅层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤；以及从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤，由此，在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法，更详细地，涉及在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。

背景技术

最近，随着科学技术的发展，智能手机、笔记本电脑、内置设备等电子产品逐渐以小型化的趋势发展，另一方面，随着配置在一个电子产品的部件数量增加，对于每个部件的大小需求也以小型化的趋势发展。

从可通过测定位置、加速度等外部信号来提供用于可使得中央处理装置向使用人员提供必要信息的基本数据的方面上讲，对于电子产品而言，传感器非常重要。

其中，压力传感器作为一种能够以物理量接收施加于传感器的力的大小并将其变换为电信号输出的器件，可根据压力检测方式分为压阻式传感器和静电容量式传感器，即，当通过半导体工序形成的薄膜并在基板的中间形成硅压阻体来使薄膜因压力而产生变形时，上述压阻式传感器可利用压阻体的阻力变化，当电极板之间的间隔因外部应力产生变化时，上述静电容量式传感器可利用电极之间的静电容量变化。

这种MEMS压力传感器通过在硅基板或镓砷化合物等的III-V类化合物基板或蓝宝石基板等的非导体基板上蒸镀结构层和牺牲层后，通过用于去除牺牲层的蚀刻工序来从基板分离结构层，从而形成器件。

但是，制造基于牺牲层的MEMS压力传感器的现有技术具有如下问题，即，因结构层形成于牺牲层上部而使得蚀刻物质难以渗透至器件下部，从而使结构层受损，结果导致收率低下。

现有技术文献

专利文献

专利文献0001：韩国授权专利公报第10-1923671号

发明内容

技术问题

本发明为了改善如上所述的现有半导体器件的制造方法有的问题而提出，本发明的目的在于，提供便于进行器件分离的半导体器件的制造方法。

技术方案

为了实现如上所述的目的，可通过下述方法提供半导体器件，本发明的半导体器件的制造方法的特征在于，包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有中空槽的第一基板附着第二基板的步骤；通过对第二基板进行蚀刻来仅保留硅活性层的步骤；在第二基板的硅活性层表面形成薄膜结构的步骤；以及从第一基板分离形成薄膜结构的第二基板的步骤。

本发明的特征在于，上述第一基板为由镓砷化合物或氮化镓组成的III-V类化合物、硅、碳化硅、硅氧化物(SiOx)或铝氧化物(AlOx)基板。

本发明的特征在于，上述第二基板20为硅基板或在硅基板上形成绝缘性氧化物层和单晶硅层的绝缘体上外延硅(SOI，Silicon on Insulator)基板。

本发明的特征在于，在形成上述第一基板的中空槽的步骤中，使用包含氢氧化钾、氢氧化钠、邻苯二酚乙二胺(EDP，Ethylenediamine pyrocatechol)或四甲基氢氧化铵等的碱性氢氧化物、羟胺及硫代尿素类的碱性水溶液。

本发明的特征在于，在向上述第一基板附着上述第二基板的步骤中，以熔融焊接方式或混合焊接的方式进行附着。