[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

通过对第一基板(10)的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽(12)的步骤(S10)；

在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅活性层(21)的第二基板(20)的步骤(S20)；

通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅活性层的步骤(S30)；

在上述第二基板的硅活性层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤(S40)；以及

从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤(S50)。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述第一基板(10)利用选自将由镓砷化合物或氮化镓组成的III-V类化合物、硅、碳化硅、硅氧化物或铝氧化物包括在内的组中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成上述第一基板(10)的中空槽(11)的步骤(S10)中，使用包含选自氢氧化钾、氢氧化钠、邻苯二酚乙二胺或四甲基氢氧化铵中的至少一种的碱性氢氧化物、羟胺及硫代尿素类的碱性水溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，使用硅或绝缘体上外延硅基板来作为上述第二基板20。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成有中空槽(11)的上述第一基板(10)附着上述第二基板(20)的步骤(S20)中，以熔融焊接方式或混合焊接的方式进行附着。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过对上述第二基板(20)进行蚀刻来仅保留硅活性层(21)的步骤(S30)包括：

利用包含选自氢氧化钾、氢氧化钠、邻苯二酚乙二胺及四甲基氢氧化铵的碱性氢氧化物、羟胺及硫代尿素类的碱性水溶液中的至少一种进行蚀刻的步骤；以及

使用含有氟化氢化合物的水溶液或含有氟化氢化合物的气体进行蚀刻的步骤。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板(20)的一侧表面形成薄膜结构的步骤(S40)中，向上述第二基板的硅层表面层叠通过热氧化工序来使得硅活性层的一部分氧化而成的硅氧化物层(24)和使用低温化学气相沉积法在硅层的表面通过化学反应形成的硅氧化物层、硅氮化物层(25)。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板的一侧表面形成薄膜结构的步骤(S40)中，在上述薄膜结构掺杂包含硼的P型掺杂剂后进行热处理。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板的一侧表面形成薄膜结构的步骤(S40)中，使用包含氩或硼类化合物中的至少一种的反应气体来蚀刻薄膜结构。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在上述第二基板的一侧表面形成薄膜结构的步骤(S40)中，蒸镀铝、铜、钨中的任一种。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在从上述第一基板分离上述第二基板的步骤(S50)中，使用真空吸附或镊子来从上述第一基板分离上述第二基板。