[发明专利]激光回流装置和激光回流方法在审

专利信息
申请号: 202011484105.0 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN113020738A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 小林贤史;金永奭;木村展之;一宫佑希;陈之文 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B23K1/005 分类号: B23K1/005;B23K101/40
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔婉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光 回流 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种激光回流装置,其对包含在一个侧面上配置有凸块的半导体芯片的被加工物从该半导体芯片的另一个侧面照射激光束而对该被加工物的被照射范围所包含的该凸块进行回流,其中,

该激光回流装置包含空间光调制单元和成像单元,该空间光调制单元具有能够对从激光光源射出的激光束局部地设定该被照射范围内的激光功率密度的激光功率密度设定功能,该成像单元具有将从该激光光源射出的激光束成像在该被加工物上并照射到该被加工物的该被照射范围的成像功能,

或者,

该激光回流装置包含空间光调制单元,该空间光调制单元具有能够对从激光光源射出的激光束局部地设定该被照射范围内的激光功率密度的激光功率密度设定功能、以及将该激光束成像在该被加工物上并照射到该被加工物的该被照射范围的成像功能。

2.根据权利要求1所述的激光回流装置,其中,

该激光回流装置还包含能够变更该被加工物上的被照射范围的位置的被照射范围变更单元。

3.根据权利要求1或2所述的激光回流装置,其中,

该空间光调制单元将照射到该被照射范围中的存在该凸块的凸块区域的激光束的激光功率密度设定得比照射到不存在该凸块的非凸块区域的激光束的激光功率密度高。

4.根据权利要求1或2所述的激光回流装置,其中,

该激光回流装置还包含均匀照射单元,该均匀照射单元配设在该激光光源与该空间光调制单元之间,使从该激光光源射出的激光束的激光功率密度在该空间光调制单元的入射面上均匀化。

5.根据权利要求1或2所述的激光回流装置,其中,

该激光光源由多个光源构成。

6.根据权利要求1或2所述的激光回流装置,其中,

该激光回流装置还包含对被加工物的上表面的温度进行检测的温度检测器。

7.根据权利要求1或2所述的激光回流装置,其中,

该激光回流装置还包含按压部件,该按压部件由使该激光束透过的材质构成,按压被加工物的上表面。

8.一种激光回流方法,使用了权利要求1或2所述的激光回流装置,其中,

对该被照射范围内的各特定区域分别设定所照射的激光束的激光功率密度。

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