[发明专利]一种抗干扰光电化学疾病标志传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种抗干扰光电化学疾病标志物传感器，其特征在于，所述疾病标志物传感器是在CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极上先后滴加壳聚糖和戊二醛溶液，然后将疾病标志物对应的捕获抗体Ab和聚乙二醇PEG先后修饰处理后的CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极而制得的，并利用目标疾病标志物明显的空间位阻效应对传感器电荷传递的阻碍作用导致光电流信号变化，实现对所述目标疾病标志物的检测；所述CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极是以P型半导体材料CuInS₂作为光阴极基底，在所述基底表面修饰增敏剂ZnIn₂S₄而得到。

2.如权利要求1所述的抗干扰光电化学疾病标志物传感器，其特征在于，所述捕获抗体Ab是PSA捕获抗体Ab。

3.一种如权利要求1所述的抗干扰光电化学疾病标志物传感器的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：

（1）制备CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极：以P型半导体材料CuInS₂作为光阴极基底，在所述基底表面修饰增敏剂ZnIn₂S₄，制备CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极；

（2）在CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极上先后滴加壳聚糖和戊二醛溶液后，将捕获抗体Ab和聚乙二醇PEG依次锚定于处理后的CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极，即制得所述抗干扰光电化学疾病标志物传感器。

4.根据权利要求3所述的一种抗干扰光电化学疾病标志物传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，采用水热法以CuCl₂、InCl₃和CH₃CSNH₂分别作为Cu源、In源和S源，在FTO导电玻璃上直接生长CuInS₂纳米膜，得到CuInS₂光阴极基底；将所述CuInS₂光阴极基底依次浸入Zn(NO₃)₂、Na₂S、InCl₃和Na₂S溶液中，通过连续离子层吸附与反应法沉积并煅烧，得到CuInS₂/ZnIn₂S₄光阴极。

5.根据权利要求4所述的一种抗干扰光电化学疾病标志物传感器的制备方法，其特征在于，制备所述CuInS₂光阴极基底的Cu源、In源和S源的摩尔比为2：5：15，Cu源的浓度为4~20 mM，反应温度为180 ℃；沉积ZnIn₂S₄的离子层吸附与反应循环次数为3~5次。

6.根据权利要求3所述的一种抗干扰光电化学疾病标志物传感器的制备方法，其特征在于，所述捕获抗体Ab低温孵育的浓度为50~250 μg/mL，所述PEG分子量不小于2000，所述PEG室温孵育的浓度为1~4 mg/mL。