[发明专利]真空压力控制系统

说明书

本发明涉及真空压力控制系统。在能够容易地计算为了使真空室的压力值为目标值而需要的真空控制阀的最佳阀开度的真空压力控制系统中，控制装置(70)包括映射程序(702a)，在进行压力值控制前，该映射程序(702a)使真空室(11)内的压力值与工艺气体的流量的关系近似于一次函数(LF11)～(LF20)，使一次函数(LF11)～(LF20)存储到控制装置(70)中，该控制装置(70)包括阀开度计算程序(702b)，在进行压力值控制前，在基于一次函数(LF11)～(LF20)供给工艺气体的规定的流量时，该阀开度计算程序(702b)计算为了使真空室(11)内的压力值为目标值(Pt)而需要的真空控制阀(30)的最佳阀开度(VO)，该控制装置(70)基于最佳阀开度(VO)来调整真空控制阀(30)的阀开度，由此能够进行控制以使真空室(11)内的压力值为目标值(Pt)。

技术领域

本公开涉及一种真空压力控制系统，其以串联连接的方式包括：气体供给源；真空室，其从气体供给源接受气体的供给；真空控制阀，其用于调整真空室的压力值；以及真空泵，其用于对真空室进行减压，并且该真空压力控制系统包括：压力传感器，其检测真空室的压力值；以及控制装置，其控制真空控制阀，其中，在从气体供给源向真空室以规定的流量供给气体时，控制装置基于由压力传感器检测出的压力值来进行真空控制阀的阀开度的调整，由此进行压力值控制，以使真空室的压力值为目标值。

背景技术

以往，如日本特开平10-252942号公报所公开那样，使用以使真空室内的压力值调整为目标压力值并保持的真空压力控制系统。这样的真空压力控制系统例如用于进行作为半导体的材料的晶圆的成膜时。通过进行真空控制阀的阀开度的调整，来使被供给成膜所需要的流量的气体(工艺气体)的真空室的压力值保持为目标值，来进行所设置在真空室中的晶圆的成膜。

发明内容

然而，在上述现有技术中存在以下那样的问题。如上述那样，为了使真空室的压力值保持为目标值，则需要将真空控制阀的阀开度调整为最佳的状态。可是，如果不实际上尝试进行压力值控制，就不能判断真空控制阀的最佳阀开度是何种程度。因此，作为实际的成膜工序前的事前准备，一边向真空室试验性地供给成膜所需流量的工艺气体，一边调整真空控制阀的阀开度，需要进行探寻到能够使真空室的压力值为目标值的真空控制阀的最佳阀开度的作业。例如，如图10所示，逐渐缩小阀开度，探寻到成为目标值Pt的最佳阀开度VO。

然后，进而根据探寻到的最佳阀开度VO，进行实际上真空室的压力值为目标值Pt的确认作业。例如，如图11所示，使真空控制阀的阀开度为最佳阀开度VO，进行真空室的压力值是否实际上为目标值Pt的、压力波形的确认。在该确认作业完成后，进行成膜工序。

此外，在成膜工序中，在一次工序中，基本上都是在多个条件下进行成膜的情况，该多个条件是指有时使用多种工艺气体，或有时在多次使用相同种类的工艺气体的情况下作为流量或目标的压力值分别不同等情况。因此，需要在所有多个条件下，进行探寻到上述的最佳阀开度的作业以及实际上真空室的压力值是否为目标值的确认作业，因此，越是增加所使用的工艺气体的种类，在进行成膜工序之前的事前准备中越是花费时间，存在对半导体的制造效率造成坏影响的可能性。

发明要解决的课题

本公开用于解决上述问题点，其目的在于提供能够容易地计算为了使真空室的压力值为目标值而需要的真空控制阀的最佳阀开度的、真空压力控制系统。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本公开的真空压力控制系统具有以下的结构。