[发明专利]分布反馈式激光器的不规则反射镜结构有效
| 申请号： | 202011457059.5 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112688163B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 宋学颖;明辰;白国人;王磊;林海鹏;陈帅;陈景春;曲迪 | 申请（专利权）人： | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/06;H01S5/34;H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 激光器 不规则 反射 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构；包括自下而上依次设置的：第一种掺杂的半导体层（101）、反射镜层（102）、多量子阱有源层（103）、第二种掺杂的半导体层（104）和电极层（105）；其特征在于：
在所述第一种掺杂的半导体层（101）与多量子阱有源层（103）之间设置有反射镜层（102）；在反射镜层（102）上设置有两个槽型反射镜（1021）。
2.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，其特征在于，所述两个槽型反射镜（1021）位于激光器脊波导两边沿正下方。
3.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，其特征在于，所述两个槽型反射镜（1021）为V型槽。
4.根据权利要求1或2所述的分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，其特征在于，在所述第一种掺杂的半导体层（101）与第二种掺杂的半导体层（104）外围覆盖有绝缘介质（106）。
5.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，其特征在于，上述第一种掺杂的半导体层（101）为N型或P型掺杂半导体。
6.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，其特征在于，上述第二种掺杂的半导体层（104）为P型或 N型掺杂半导体。
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