[发明专利]驻极体

权利要求书

1.驻极体(1)，其包含基板(10)和在所述基板的表面上方形成的驻极体层(2)，其中

所述驻极体是含有两种或更多种不同金属元素的复合金属化合物，并且通过对主要由带隙能量为4eV或更高的无机介电材料构成的薄膜进行极化处理而得到。

2.根据权利要求1所述的驻极体，其中

所述无机介电材料包括两种不同的金属元素A和B，并且具有由ABO₃的组成式表示的复合氧化物的基本组成，并且

所述薄膜是含有具有非晶结构的复合氧化物的膜，或是含有具有钙钛矿结构的复合氧化物的晶体的膜。

3.根据权利要求2所述的驻极体，其中

所述金属元素A是选自La、Y、Pr、Sm和Nd的稀土元素R，并且

所述金属元素B是Al。

4.根据权利要求3所述的驻极体，其中

在所述复合氧化物中，所述金属元素A和B中的至少一种被由不同金属元素构成的掺杂元素部分地取代，

取代所述金属元素A的掺杂元素是碱土金属，并且

取代所述金属元素B的掺杂元素是一种或多种选自碱土金属元素和Zn的元素。

5.根据权利要求4所述的驻极体，其中

取代所述金属元素A的掺杂元素的取代率为20原子％或更小，并且

取代所述金属元素B的掺杂元素的取代率为20原子％或更小。

6.根据权利要求4所述的驻极体，其中

取代所述金属元素A的掺杂元素的取代率为0.05原子％至18.8原子％，并且

取代所述金属元素B的掺杂元素的取代率为0.05原子％至18.8原子％。

7.根据权利要求4所述的驻极体，其中

取代所述金属元素A的掺杂元素的取代率为0.05原子％至2.5原子％，并且

取代所述金属元素B的掺杂元素的取代率为0.05原子％至2.5原子％。

8.根据权利要求1所述的驻极体，其还包括

导电层(3)，其由导电膜制成，并且在所述基板的厚度方向上与所述驻极体层的至少一个表面接触，其中

所述驻极体层是膜厚度在0.01μm至100μm范围内的薄膜。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的驻极体，其中

所述驻极体层的介电击穿电场强度比所述极化处理期间的电场强度高。