[发明专利]一种负载型氧化物薄膜及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种负载型氧化物薄膜，其特征在于，所述负载型氧化物薄膜包括光催化剂和氧化物薄膜；

所述氧化物薄膜为金属氧化物薄膜；所述氧化物薄膜中含有通孔阵列；

所述光催化剂负载在所述氧化物薄膜的通孔中。

2.根据权利要求1所述的负载型氧化物薄膜，其特征在于，所述光催化剂包括无机半导体材料、有机半导体材料中的至少一种；

优选地，所述无机半导体材料选自金属氧化物、二氧化硅中的至少一种；

所述金属氧化物中的金属选自Ag、Ti、Zn、Nb、Sn、Ga、Fe、Ge、Cu中的至少一种；

所述有机半导体材料选自金属有机框架材料；

优选地，所述光催化剂的质量为所述氧化物薄膜质量的0.01-5％；

优选地，所述氧化物薄膜中孔的直径为10～300nm；

优选地，所述氧化物薄膜的厚度为1～500μm；

优选地，所述金属氧化物薄膜中的金属选自铁、钛、铝、镍、铬、钽中的至少一种。

3.权利要求1或2所述的负载型氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

(1)将金属基板进行预处理，得到预处理后的金属基板；

(2)在外加电流的作用下，将所述预处理后的金属基板作为阳极进行氧化处理，得到氧化物薄膜；

(3)将含有物料A和所述氧化物薄膜的混合物，负载，焙烧，即可得到所述负载型氧化物薄膜；

所述物料A选自光催化剂、光催化剂前驱体中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述光催化剂前驱体选自金属离子的盐类化合物；

优选地，所述金属基板选自铁基合金、铝基合金中的至少一种；

优选地，所述步骤(1)包括：将金属基板至于电化学抛光液中进行抛光处理，得到所述预处理后的金属基板；

优选地，所述抛光处理的条件为：温度为10～90℃；时间为1～30min；

优选地，在所述步骤(2)中，电流密度为2～200mA/dm²；电压为10～150V；

氧化处理的温度为1～10℃；时间为10～180min；

优选地，在所述步骤(3)中，所述焙烧的条件为：温度为300～900℃；时间为2～6h；

优选地，在所述步骤(2)中，氧化处理使用的电解液包括氧化剂和醇类溶剂；

所述氧化剂选自高氯酸。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述电解液中还包括添加剂；所述添加剂选自氟化物、水中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述电解液包括乙二醇、高氯酸、氟化物和水；

在所述电解液中，高氯酸的体积含量为0.1-1.5％；氟化物含量为0.1-1mol/L；水含量为0.1-1.0mol/L。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述金属基板的厚度为10-500μm。

8.一种过滤材料，其特征在于，所述过滤材料选自权利要求1或2所述的负载型氧化物薄膜、根据权利要求3至7任一项所述方法制备得到的负载型氧化物薄膜中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的过滤材料，其特征在于，所述过滤材料经处理后可重复使用；

所述处理的方法包括：将使用后的过滤材料置于20～30℃下静置30～120min，即可重复使用。

10.权利要求8或9所述的过滤材料在光催化杀菌、病毒防护用品中的应用。