[发明专利]高纯粉体材料的制备方法及其应用及一种双相粉体材料

权利要求书

1.一种高纯粉体材料的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤一：选择初始合金原料，按照初始合金成分配比将初始合金原料熔化，得到均匀的初始合金熔体；

步骤二：通过雾化制粉技术将初始合金熔体雾化并使之凝固，得到中间合金粉末；所述中间合金粉末由第一相和第二相构成，第一相为颗粒状，第二相为熔点低于第一相的基体相，第一相颗粒被包覆于第二相基体中；所述雾化制粉过程中，初始合金熔体中的杂质元素与雾化凝固过程中引入的杂质元素富集于所述第二相基体中，从而使所述第一相颗粒得到纯化；

步骤三：将所述中间合金粉末中的第二相基体去除并保留第一相颗粒，富集于第二相基体中的杂质元素随之被去除，即得到由第一相颗粒组成的高纯目标金属粉体材料。

2.根据权利要求1所述的高纯粉体材料的制备方法，其特征在于，所述初始合金熔体中的杂质元素为T，且T包含O、H、N、P、S、F、Cl、I、Br中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的高纯粉体材料的制备方法，其特征在于，根据初始合金原料配比的不同，所述初始合金熔体的平均成分包括如下组合(1)-(4)中的任意一种：

组合(1)：所述初始合金熔体的平均成分主要为A_a(M_xD_y)_bT_d，其中，A包含Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种，M包含W、Cr、Mo、V、Ta、Nb、Zr、Hf、Ti中的至少一种，D包含Fe、Co、Ni中的至少一种，其中，x、y；a、b、d代表对应组成元素的原子百分比含量，且0.5％≤a≤99.5％，0.5％≤b≤99.5％，0≤d≤10％；5％≤x≤55％，45％≤y≤95％；

组合(2)：所述初始合金熔体的平均成分主要为A_aM_bT_d，其中，A包含Mg、Ca、Li、Na、K、Cu、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种，M包含W、Cr、Mo、V、Ta、Nb、Zr、Hf、Ti中的至少一种；其中a、b、d代表对应组成元素的原子百分比含量，且0.5％≤a≤99.5％，0.5％≤b≤99.5％，0≤d≤10％；

组合(3)：所述初始合金熔体的平均成分主要为A_aM_bT_d，其中，A包含Zn、Mg、Sn、Pb、Ga、In、Al、La、Ge、Cu、K、Na、Li中的至少一种，M包含Be、B、Bi、Fe、Ni、Cu、Ag、Si、Ge、Cr、V中的至少一种，且M中Be、B、Si、Ge的原子百分比总含量在M中的占比小于50％，其中a、b、d代表对应组成元素的原子百分比含量，且0.5％≤a≤99.5％，0.5％≤b≤99.5％，0≤d≤10％；

组合(4)：当所述初始合金熔体的平均成分主要为A_aM_bAl_cT_d时，A包含Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种；M包含W、Cr、Mo、V、Ta、Nb、Zr、Hf、Ti中的至少一种；Al为铝；其中a、b、c、d分别代表对应组成元素的原子百分比含量，且0.5≤a≤99.4％，0.5≤b≤99.4％，0.1％≤c≤25％，0≤d≤10％。