[发明专利]适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜及其制备方法

权利要求书

1.适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜，其特征在于，包括从下至上的基底层、空气层，和设置于基底层、空气层之间的膜层结构；所述基底层的材料为Ge、Si、ZnS、ZnSe中的一种；所述膜层结构为多层膜层，从下至上为依次连接的Ge层、ZnS层、Ge层、ZnS层、YbF₃层、MgF₂层、Al₂O₃层、SiO₂层、防水层。

2.根据权利要求1所述的适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜，其特征在于，所述膜层结构的每层膜层厚度根据基底层的材料调节。

3.根据权利要求1或2所述的适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜，其特征在于，所述基底层为Ge材料，膜层结构每层膜层厚度依次为：Ge层为31.53nm、ZnS层为183.15nm、Ge层为59.89nm、ZnS层为94.17nm、YbF₃层为545.00nm、MgF₂层为50.00nm、Al₂O₃层为90.00nm、SiO₂层为20.00nm、防水层为10nm。

4.根据权利要求1或2所述的适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜，其特征在于，所述基底层为Si材料，膜层结构每层膜层厚度依次为：Ge层为98.12nm、ZnS层为207.68nm、Ge层为54.01nm、ZnS层为168.58nm、YbF₃层为505.00nm、MgF₂层为50.00nm、Al₂O₃层为90.00nm、SiO₂层为20nm、防水层为10nm。

5.根据权利要求1或2所述的适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜，其特征在于，所述基底层为ZnS材料，膜层结构每层膜层厚度依次为：Ge层为31.32nm、ZnS层为321.34nm、Ge层为30.79nm、ZnS层为352.48nm、YbF₃层为468.00nm、MgF₂层为50.00nm、Al₂O₃层为90.00nm、SiO₂层为20nm、防水层为10nm。

6.根据权利要求1或2所述的适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜，其特征在于，所述基底层为ZnSe材料，膜层结构每层膜层厚度依次为：Ge层为37.55nm、ZnS层为300.97nm、Ge层为363.22nm、ZnS层为498.00nm、YbF₃层为498.00nm、MgF₂层为50.00nm、Al₂O₃层为90.00nm、SiO₂层为20nm、防水层为10nm。

7.适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1，在基底层表面镀制膜层结构，依次Ge层、ZnS层、Ge层、ZnS层、YbF₃层、MgF₂层、Al₂O₃层、SiO₂层，且在基底层表面镀制膜层结构同时采用考夫曼离子源辅助沉积方式；

步骤S2，不使用考夫曼离子源辅助沉积，在膜层结构的SiO₂层表面镀制防水层。

8.根据权利要求7所述的适用3.7-4.8μm波段的高光学性能强环境适应性减反膜的制作方法，其特征在于，步骤S1中，镀制温度控制在130～150℃。