[发明专利]高α相氮化硅粉体的生产方法有效
| 申请号: | 202011438168.2 | 申请日: | 2020-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN112408992B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
| 发明(设计)人: | 夏静豪;夏凡 | 申请(专利权)人: | 安阳亨利高科实业有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/591 | 分类号: | C04B35/591;C04B35/626 |
| 代理公司: | 安阳金泰专利代理事务所(普通合伙) 41150 | 代理人: | 王晖 |
| 地址: | 455000 河南省安阳*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化 硅粉体 生产 方法 | ||
1.高α相氮化硅粉体的生产方法,其特征在于:包括以下步骤:
A:将硅粉研磨粉碎至D90为6μm;
B:将研磨好的硅粉装入匣钵中,装料厚度在15-30mm之间;匣钵内的粉体划分为多个正方形网格,网格的边长为3-4cm,在网格交点处的物料上打设料孔,料孔的直径为0.4-1cm,料孔至匣钵底部;
C:将多个装好硅粉的匣钵上下叠放成一摞,叠放后的一摞中的各匣钵中硅粉的厚度总和小于等于300mm;
D:将多摞装好硅粉的匣钵放入真空加热炉,多摞装好硅粉的匣钵中的硅粉的总重量为70-100kg,多摞装好硅粉的匣钵呈阵列形式;
E:将真空加热炉气压抽到100Pa以下;
F:充入氮气至60kPa;
G:升温反应,依次包括以下子步骤:
G1:首先将温度升至1120℃,升温速率为2-4℃/min;升温过程中通入氮气,氮气的流量为:真空炉中硅粉的千克数×15L/小时,本步骤执行期间真空加热炉中的压力保持在60±2kPa;
G2:在1120℃保温15-20小时,保温期间氮气的流量不变;保温期间3-5小时真空加热炉主动排空一次,排空至压力至10 kPa以下,除排空前后外,真空加热炉中的压力保持在60±2kPa;
G3:将温度升至1280℃,升温速率0.4-0.6℃/min;温度高于1200℃时通入氩气,氩气的流量为氮气流量的20%,氮气流量不变;通入氩气期间每隔30分钟真空加热炉主动排空一次,排空至压力至10 kPa以下,除排空前后本步骤压力保持在60±2kPa;
G4:将温度降至1230℃,降温速率0.3-0.4/min,氮气、氩气流量保持不变,通入氩气期间每隔30分钟真空加热炉主动排空一次,排空至压力至10 kPa以下,除排空前后本步骤压力保持在60±2kPa;
G5:重复进行步骤G3、G4,重复次数在10次以上;
H:关闭系统加热,冷却真空加热炉,使系统在15至20小时降温至常温;
I:取出反应产物粉碎、研磨为粉体。
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