[发明专利]一种提高特征X射线强度值的测试方法在审
| 申请号： | 202011406792.4 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112730495A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨水源;崔继强;蒋少涌;张若曦 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | G01N23/2252 | 分类号： | G01N23/2252 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 龚春来 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 特征 射线 强度 测试 方法 | ||
1.一种提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，包括：
利用电子探针不同波谱仪上的多个分光晶体，形成待测元素的测试系统，同时测试同一个待测元素；
获取标准样品中待测元素的总净计数；
获取待测样品中待测元素的总净计数；
根据标准样品中待测元素的总净计数、待测样品中待测元素的总净计数与标准样品中待测元素的浓度计算待测样品中待测元素的浓度；
根据待测样品中待测元素在各个分光晶体上的背景强度，获取待测样品中待测元素的总背景强度。
2.如权利要求1所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，根据待测样品中待测元素的总背景强度，计算待测元素的检测限。
3.如权利要求1所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，不同波谱仪上的多个分光晶体为同种分光晶体。
4.如权利要求1所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，不同波谱仪上的多个分光晶体为不同种分光晶体。
5.如权利要求1所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，获取标准样品中待测元素的总净计数的具体方法为：测试标准样品中待测元素的特征X射线总强度和背景强度，计算各个分光晶体获取的待测元素的净记数，再计算标准样品中待测元素的总净计数。
6.如权利要求1所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，获取待测样品中待测元素的总净计数的具体方法为：测试待测样品中待测元素的特征X射线总强度和背景强度，计算各个分光晶体中获取的待测元素的净记数，再计算待测样品中待测元素的总净计数。
7.如权利要求1所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，待测样品中待测元素的浓度的计算公式为：
其中，CY1、CY2…CYn(n为≥2的整数)分别为不同波谱仪上的多个分光晶体，分别为测试标准样品时各个分光晶体中获取的待测元素的净计数，分别为测试待测样品时各个分光晶体中获取的待测元素的净计数，Cstd代表标准样品待测元素的浓度，GZAF代表基质校正因子，Cunk为待测样品待测元素的浓度。
8.如权利要求1所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，待测样品中待测元素的总背景强度的计算公式为：其中，分别为测试待测样品时待测样品在各个分光晶体上的背景强度，Iunk-bg为待测元素的总背景强度。
9.如权利要求2所述的提高特征X射线强度值的测试方法，其特征在于，待测元素的检测限的计算公式为：
其中，CY1、CY2…CYn(n为≥2的整数)分别为不同波谱仪上的多个分光晶体，分别为测试标准样品时各个分光晶体的待测元素的净计数，Cstd代表标准样品待测元素的浓度，分别为测试待测样品时待测样品各个分光晶体上的背景强度，tback为背景的测试时间，GZAF代表基质校正因子，D.L.为检测限。
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