[发明专利]用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统

权利要求书

1.一种柴式生长系统，包括：

生长腔，包括坩埚、至少一个侧边壁、顶侧壁、用于支撑该坩埚的基座、固定安装在该生长腔内的滴加盒、及可拉回地支撑用于接触包含在该坩埚中的熔融物的晶种的拉取机制，其中，该坩埚包括内区及环状外区，该内区位于该拉取机制下方，该环状外区与该内区有流体交流且置放于该滴加盒的喷口下方，且其中，该外区含有原料，当锭块生长于该内区中时，该原料于熔融时进料额外的材料至该内区；

进料口，置于该生长腔的至少一个侧边壁中；以及

在该进料口附着至该生长腔的进料腔，该进料腔包括进料斗，进料的漏斗喷口和通过该进料口将该原料供应到该生长腔的可插入至该生长腔中的进料机。

2.根据权利要求1所述的柴式生长系统，其中，该进料腔包括隔离阀。

3.根据权利要求2所述的柴式生长系统，其中，该隔离阀于该进料斗及该进料机之间。

4.根据权利要求2所述的柴式生长系统，其中，该隔离阀是有可扩展水冷闸的闸阀。

5.根据权利要求1所述的柴式生长系统，其中，该滴加盒包括水平延伸接收区和具有倾斜底部的滑道，该倾斜底部用于接收来自进料机的原料，以及位于该坩埚上方的该喷口。

6.根据权利要求5所述的柴式生长系统，其中，该斜底倾斜在约30°及约60°之间的角度。

7.根据权利要求1所述的柴式生长系统，其中，进料机包括进料盘，该进料盘具有用于自该进料斗的漏斗出口的开口接收该原料的接收区及连接至该接收区且具有小于该接收区的剖面的注射区，并通过该隔离阀可插入至该生长腔中。

8.根据权利要求7所述的柴式生长系统，其中，该注射区具有凹底。

9.根据权利要求8所述的柴式生长系统，其中，该凹底具有壁，该壁自垂直至约30°及约60°之间对立倾斜的V形状。