[发明专利]磁传感器

说明书

磁传感器具有至少一个MR元件和线圈。线圈包含至少一个导体部分。至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的部分磁场能够施加于至少一个MR元件中的与该导体部分对应的MR元件的位置，并且沿着以在远离对应的MR元件的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。

技术领域

本发明涉及具有磁阻效应元件和产生用于施加于磁阻效应元件的线圈磁场的线圈的磁传感器。

背景技术

近年来，在各种用途中利用着磁传感器。作为磁传感器，已知有使用了设置于基板上的自旋阀型的磁阻效应元件的磁传感器。自旋阀型的磁阻效应元件具有：磁化固定层，其具有方向被固定的磁化；自由层，其具有方向可根据施加磁场的方向而变化的磁化；间隙层，其配置于磁化固定层与自由层之间。

使用了磁阻效应元件的磁传感器中，期望磁阻效应元件在其线形区域中动作。磁阻效应元件的线形区域是表示对磁阻效应元件的施加磁场与磁阻效应元件的电阻值的关系的特性图中，磁阻效应元件的电阻值相对于施加磁场的变化而直线或大致直线性地变化的区域。作为以在线形区域中动作的方式调节磁阻效应元件的动作区域的方法，例如，已知有使磁阻效应元件的自由层保持形状磁各向异性等的单轴磁各向异性的方法。

包含具有形状磁各向异性的自由层的磁阻效应元件中，没有施加磁场时的自由层的磁化的方向设定成与自由层的易磁化轴平行且相互相反方向的两个方向中的一方。但是，该磁阻效应元件中，由于干扰磁场的施加等，有时自由层的磁化反转。例如，使用了该磁阻效应元件的磁传感器中，当自由层的磁化反转时，之后的磁传感器的检测值可能成为与最初的值不同的值。作为使没有施加磁场时的自由层的磁化的方向与最初的设定方向一致的方法，例如具有从外部对磁阻效应元件施加磁场的方法。

日本国专利申请公开2017-72375号公报中记载有磁阻效应元件和线圈一体化的磁传感器。该磁传感器中，线圈产生施加于磁阻效应元件的自由层的偏磁场。通过该偏磁场，能够使没有施加磁场时的自由层的磁化的方向与偏磁场的方向一致。另外，该磁传感器中，在没有施加磁场时的自由层的磁化的方向偏离本来的设定方向的情况下，也能够产生偏磁场来使自由层的磁化的方向复位。

为了通过线圈产生的磁场，使没有施加磁场时的自由层的磁化的方向一致，或将自由层的磁化的方向复位，需要在线圈中流通充分大小的电流。但是，特别是如日本国专利申请公开2017-72375号公报所记载的磁传感器，磁阻效应元件和线圈一体化的磁传感器中，有时不能在线圈中流通充分大小的电流。其结果，有时不能对自由层施加充分的强度的磁场。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种能够利用线圈对磁阻效应元件施加充分强度的磁场的磁传感器。

本发明提供一种磁传感器，其具有：电阻值与外部磁场相应地变化的至少一个磁阻效应元件；和产生线圈磁场的线圈，其中，线圈磁场是用于施加于至少一个磁阻效应元件的磁场。线圈包含至少一个导体部分。线圈磁场包含由至少一个导体部分各自产生的部分磁场。至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的部分磁场能够施加于至少一个磁阻效应元件中的与该导体部分对应的磁阻效应元件的位置，并且沿着以在远离对应的磁阻效应元件的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。

本发明的磁传感器也可以还具有支承至少一个磁阻效应元件的支承部件。支承部件具有与至少一个磁阻效应元件对置的上表面和位于与上表面相反侧的下表面。支承部件的上表面也可以包含以在远离支承部件的下表面的方向上成为凸部的方式弯曲的曲面部分。至少一个磁阻效应元件也可以配置于曲面部分之上。另外，至少一个磁阻效应元件各自具有与支承部件对置的下表面。至少一个磁阻效应元件各自的下表面也可以是沿着曲面部分弯曲的曲面。