[发明专利]磁传感器在审

专利信息
申请号: 202011346355.8 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN112858964A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 牧野健三;太田宪和 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁传感器,其特征在于:具有:

电阻值与外部磁场相应地变化的至少一个磁阻效应元件;和

产生线圈磁场的线圈,所述线圈磁场是用于施加于所述至少一个磁阻效应元件的磁场,

所述线圈包含至少一个导体部分,

所述线圈磁场包含由所述至少一个导体部分各自产生的部分磁场,

所述至少一个导体部分各自处于由该导体部分产生的所述部分磁场能够施加于所述至少一个磁阻效应元件中的与该导体部分对应的磁阻效应元件的位置,并且沿着以在远离所述对应的磁阻效应元件的方向上成为凸部的方式弯曲的虚拟曲线延伸。

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于:

还具有支承所述至少一个磁阻效应元件的支承部件,

所述支承部件具有与所述至少一个磁阻效应元件对置的上表面和位于与所述上表面相反侧的下表面。

3.根据权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:

所述支承部件的所述上表面包含以在远离所述支承部件的所述下表面的方向上成为凸部的方式弯曲的曲面部分,

所述至少一个磁阻效应元件配置于所述曲面部分之上。

4.根据权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:

所述至少一个磁阻效应元件各自具有与所述支承部件对置的下表面,

所述至少一个磁阻效应元件各自的所述下表面为沿着所述曲面部分弯曲的曲面。

5.根据权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:

所述支承部件的所述上表面的所述曲面部分包含:沿着第一方向延伸,并且位于与所述第一方向正交的第二方向上的所述曲面部分的中央的中央部分;以及位于所述第二方向上的所述中央部分的两侧的第一侧方部分和第二侧方部分,

所述第一侧方部分和所述第二侧方部分为处于比所述中央部分更靠近所述支承部件的所述下表面的位置,并且随着靠近所述支承部件的所述下表面而彼此的距离变大的两个弯曲的斜面,

所述至少一个磁阻效应元件配置于所述第一侧方部分之上。

6.根据权利要求3所述的磁传感器,其特征在于:

所述支承部件的所述上表面的所述曲面部分包含:沿着第一方向延伸,并且位于与所述第一方向正交的第二方向上的所述曲面部分的中央的中央部分;以及位于所述第二方向上的所述中央部分的两侧的第一侧方部分和第二侧方部分,

所述第一侧方部分和所述第二侧方部分为处于比所述中央部分更靠近所述支承部件的所述下表面的位置,并且随着靠近所述支承部件的所述下表面而彼此的距离变大的两个弯曲的斜面,

所述至少一个磁阻效应元件包含:配置于所述第一侧方部分之上的至少一个第一磁阻效应元件;和配置于所述第二侧方部分之上的至少一个第二磁阻效应元件。

7.根据权利要求2所述的磁传感器,其特征在于:

所述至少一个导体部分配置于在与所述支承部件之间夹着所述至少一个磁阻效应元件的位置。

8.根据权利要求7所述的磁传感器,其特征在于:

还具有覆盖所述至少一个磁阻效应元件和所述支承部件的所述上表面的绝缘层,

所述至少一个导体部分配置于所述绝缘层之上。

9.根据权利要求7所述的磁传感器,其特征在于:

所述至少一个磁阻效应元件各自由层叠的多个层构成,

所述至少一个导体部分各自以其一部分与构成所述至少一个磁阻效应元件中的与该导体部分对应的磁阻效应元件的各层的面平行的方式延伸。

10.根据权利要求7所述的磁传感器,其特征在于:

所述至少一个磁阻效应元件各自由层叠的多个层构成,

所述至少一个导体部分各自以与构成所述至少一个磁阻效应元件中的与该导体部分对应的磁阻效应元件的各层的面不平行的方式延伸。

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