[发明专利]一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：

771.24-771.34份 Mn₃O₄；

215.82-215.92份 NiO；

12.79-12.89份 Al₂O₃；

负温度系数热敏电阻芯片的制备方法，包括以下步骤：

S1、称料：称取Mn₃O₄、NiO和Al₂O₃，混合，形成原料粉末，原料粉末总重为1000重量份，再称取990-1010重量份的蒸馏水、4.9-5.1重量份的分散剂和0.9-1.1重量份的消泡剂；

S2、混合：将原料粉末和混合均匀后的蒸馏水、分散剂和消泡剂混合、研磨，研磨23-25h；

S3、煅烧：将研磨后的物料在170-190℃下干燥20-25h，取出粉碎28-35s，再将粉碎后的物料在840-850℃下煅烧4-4.5h；

S4、微粉碎：将分散剂、消泡剂、离型剂、浓度为10.06-10.14%的PVA、蒸馏水和煅烧后的物料混合，研磨23-25h，其中各原料的重量份为：分散剂1.4-1.6份、消泡剂1.4-1.6份、离型剂2.9-3.1份、PVA99-101份、蒸馏水725-775份；

S5、喷雾造粒：将微粉碎后的粉末进行喷雾造粒，制成原料颗粒，控制喷雾压强为0-0.2MPa，压差为0-0.4MPa，喷雾进口温度为190-200℃，出口温度为85-95℃；

S6、压片成型：将雾化制成的颗粒过筛后压制成型，得到晶片；

S7、预烧结：将晶片在450-1050℃下烧结10h；

S8、烧结：将预烧结后的晶片进行烧结，温度控制如下：从室温以200℃/h的速度升温至1000℃，再以100℃/h的速度升温至1200℃，保温8h，烧结完成，降温至室温；

S9、抛光：将晶片用研磨液进行表面抛光，再将晶片用超声波清洗，干燥；

S10、刷银：在晶片表面涂刷导电银浆，干燥后再110-130℃下老化23-25h，再进行切割、清洗、烘干，制得负温度系数热敏电阻芯片。

2.根据权利要求1所述的负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，由包含以下重量份的原料制成：

771.29份 Mn₃O₄；

215.87份 NiO；

12.84份 Al₂O₃。

3.根据权利要求1所述的负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，所述S1中，Mn₃O₄、NiO和Al₂O₃使用前，在100-120℃的条件下干燥20-25h。

4.根据权利要求1所述的负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，所述步骤S2和步骤S4中，研磨时，使用直径为5mm和直径为10mm的两种氧化锆研磨球，直径为5mm的氧化锆研磨球与直径为10mm的氧化锆研磨球的质量比为1:2-2.01，步骤S2中，氧化锆研磨球与原料粉末的质量比为3.98-4.02:1；步骤S4中，氧化锆研磨球与原料粉末的质量比为7.98-8.01:1，研磨完成后用蒸馏水清洗研磨机，蒸馏水的重量份为225-275份。

5.根据权利要求1所述的负温度系数热敏电阻芯片，其特征在于，所述步骤S3中，煅烧时升温步骤为：从室温升温至750℃，所用时间为3.9-4h，再从750℃升温至840-850℃，升温速度为1h/100℃，在840-850℃下保温4-4.5h，降温至50℃，当炉温在600℃时开放炉顶口，400℃以下打开炉门2cm缝隙，加快降温。