[发明专利]一种监测及确认半导体器件老化状态的方法、装置及计算机可读存储介质

说明书

本发明涉及半导体老化测试技术领域，公开了一种监测及确认半导体器件老化状态的方法，包括：持续采集一段时间内所述半导体器件的至少一个性能参数；监测至少一个所述性能参数的数值变化；根据所述性能参数的数值变化确认所述半导体器件的老化状态。本发明通过监测半导体器件一种或多种性能参数的组合的数值变化，能够及时监测和确认老化完成的时间点，有效缩短了老化测试的时间，进而提高了产品的质量且降低了测试成本。

技术领域

本发明属于半导体老化测试技术领域，具体涉及一种监测及确认半导体器件老化状态的方法、装置及计算机可读存储介质。

背景技术

所有半导体零部件生产后，要经过一段初生老化期后才进入稳定状态，一般初生老化期大约持续1-6个月，而后进入稳定期，大约在5-20年。因此很多电子产品在销售后3-6个月的反修比较严重，过了六个月后便基本上反修率很低。根据此特性，半导体器件生产厂家会在产品出厂前对半导体器件进行老化测试。其目的是用各种方法在尽量短的时间内让内存芯片完成实际需要3-6个月的老化过程。

现有技术中，通常采用一定的方式对半导体器件进行“加速老化”，例如加电压、提升温度等方法，然而过分加压会影响产品寿命，而且最多只能加速5-7倍，以等同6个月的老化要求，需时约一个多月，其成本非常高；此外，上述方法对于产品老化完成的时间点是很难评估的，这就造成了在老化测试过程中往往存在两种现象：1)为了保证充分老化，老化测试耗时过长，造成成本增加以及半导体芯片过老化；2)老化时间不够，芯片没有能够达致稳定的阶段。

发明内容

本发明的目的在于提供一种监测及确认半导体器件老化状态的方法、装置及计算机可读存储介质，用以解决现有技术中缺乏有效的半导体器件老化状态的监测方法的技术问题。

为了实现上述目的，本发明采用以下的技术方案：

一种监测及确认半导体器件老化状态的方法，所述方法包括：

持续采集一段时间内所述半导体器件的至少一个性能参数；

监测至少一个所述性能参数的数值变化；

根据所述性能参数的数值变化确认所述半导体器件的老化状态。

进一步的，所述根据所述性能参数的数值变化确认所述半导体器件的老化状态包括：

当所述性能参数的数值处于波动状态时，判定所述半导体器件的老化未完成；

当所述性能参数的数值达到稳定状态时，判定所述半导体器件的老化已完成。

进一步的，当所述半导体器件为动态记忆内存时，所述方法包括：

持续采集一段时间内所述动态记忆内存的至少一个性能参数；

监测至少一个所述性能参数的数值变化；

当所述性能参数的数值处于波动状态时，判定所述动态记忆内存的老化未完成；

当所述性能参数的数值达到稳定状态时，判定所述动态记忆内存的老化已完成。

进一步的，所述性能参数包括Data Retention、tWR、tRefresh、tDelay、tRFC、tWR中的一种或多种性能参数。

进一步的，当所述性能参数为Data Retention时，所述方法包括：

依次持续采集N个时间点的Data Retention，并将所述N个时间点对应记录为时间点T₁、T₂、T₃...T_N；