[发明专利]一种监测及确认半导体器件老化状态的方法、装置及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种监测及确认半导体器件老化状态的方法，其特征在于，所述方法包括：

持续采集一段时间内所述半导体器件的至少一个性能参数；

监测至少一个所述性能参数的数值变化；

根据所述性能参数的数值变化确认所述半导体器件的老化状态，包括：

当所述性能参数的数值处于波动状态时，判定所述半导体器件的老化未完成；

当所述性能参数的数值达到稳定状态时，判定所述半导体器件的老化已完成；

当所述半导体器件为动态记忆内存时，所述方法包括：

持续采集一段时间内所述动态记忆内存的至少一个性能参数；

监测至少一个所述性能参数的数值变化；

当所述性能参数的数值处于波动状态时，判定所述动态记忆内存的老化未完成；

当所述性能参数的数值达到稳定状态时，判定所述动态记忆内存的老化已完成；

所述性能参数包括Data Retention、tWR、tRefresh、tDelay、tRFC和tRASmax中的一种或多种性能参数；

当所述性能参数为Data Retention时，所述方法包括：

依次持续采集N个时间点的Data Retention，并将所述N个时间点对应记录为时间点T₁、T₂、T₃...T_N；

将所述时间点T₁、T₂、T₃...T_N作为横坐标，将其分别对应的Data Retention值D₁、D₂、D₃...D_N作为纵坐标，对连续一段时间内的所述Data Retention做拟合曲线；其中，N＞1，N为自然数；

依次计算所述拟合曲线上坐标点(T₁，D₁)、(T₂，D₂)、(T₃，D₃)...(T_N，D_N)分别对应的斜率K₁、K₂、K₃...K_N；

依次判断所述斜率K₁、K₂、K₃...K_N是否达到斜率阈值K_i；

当所述斜率K₁、K₂、K₃...K_N未达到斜率阈值K_i时，认为所述Data Retention的数值处于波动状态，判定所述动态记忆内存的老化未完成；

当所述斜率K₁、K₂、K₃...K_N第一次达到所述斜率阈值K_i时，认为所述Data Retention的数值达到稳定状态，判定所述动态记忆内存的老化已完成。

2.根据权利要求1所述的一种监测及确认半导体器件老化状态的方法，其特征在于，所述当所述斜率K₁、K₂、K₃...K_N第一次达到所述斜率阈值K_i时，认为所述Data Retention的数值达到稳定状态，判定所述动态记忆内存的老化已完成之后，还包括：

获取所述斜率达到所述斜率阈值K_i时对应的时间点T_i，并该所述时间点T_i记录为所述动态记忆内存老化完成的时间节点。