[发明专利]基于结构对称性破缺的高效光吸收装置及制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011325031.6 申请日: 2020-11-24
公开(公告)号: CN112255716B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 桑田 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;G02B5/18
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 林娟
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 结构 对称性 高效 光吸收 装置 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.基于结构对称性破缺的高效光吸收装置,其特征在于,包括基底(1)、光栅(2)和吸收材料(3),光栅(2)包括光栅层和膜层,光栅层位于膜层上,吸收材料(3)位于膜层和基底(1)之间,栅格间的膜层上具有刻槽(4)使光栅(2)对称性破缺;

所述基底(1)是石英基底;

所述吸收材料(3)是石墨烯或二维过渡金属硫化物。

2.根据权利要求1所述的基于结构对称性破缺的高效光吸收装置,其特征在于,所述光栅(2)的材质是高折射率薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的基于结构对称性破缺的高效光吸收装置,其特征在于,所述高折射率薄膜材料是硅、砷化镓、二氧化钛、硫化锌或硒化锌。

4.根据权利要求1所述的基于结构对称性破缺的高效光吸收装置,其特征在于,所述光栅(2)是一维、方块、L型、T型、十字架、圆环或圆柱型光栅。

5.根据权利要求1所述的基于结构对称性破缺的高效光吸收装置,其特征在于,所述石墨烯是单层石墨烯。

6.根据权利要求5所述的基于结构对称性破缺的高效光吸收装置,其特征在于,所述装置的制备过程包括:

(1)在石英基底上制备单层石墨烯;

(2)在具有单层石墨烯的石英基底上沉积硅薄膜;

(3)在硅薄膜上制备一定厚度的光刻胶薄膜;

(4)对光刻胶进行曝光,借助掩膜版在光刻胶薄膜上制备微结构图案,经显影、定影和烘烤,再经反应离子束刻蚀制备出具有一定周期和上下层结构的硅光栅;

(5)通过两次刻蚀在硅光栅的下层结构中制作出刻槽。

7.一种提高石墨烯光吸收-角度容差的方法,其特征在于,以权利要求1-6任一所述的装置作为光吸收装置,入射方式采用全锥度入射。

8.权利要求1-6任一所述的装置在光电探测、光热转化、光学传感、荧光光谱、光学滤波或高次谐波激发中的应用。

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