[发明专利]强度测量方法和样品

权利要求书

1.一种强度测量方法，其特征在于，包括：

提供待测半导体结构；

选择所述待测半导体结构中的具有目标尺寸的部分区域作为待测试区域；

去除待测试区域下方的部分结构，以使所述待测试区域悬空；

对所述待测试区域施加载荷；

确定所述待测试区域被破坏时，保存当前施加的载荷值；

利用保存的载荷值，分析待测试区域的机械强度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除待测试区域下方的部分结构以使所述待测试区域悬空，包括：

在所述待测试区域的相对两侧分别形成第一沟槽和第二沟槽；

去除所述第一沟槽和第二沟槽之间的位于所述待测试区域下方的结构，使第一沟槽和第二沟槽相互连通，以使所述待测试区域悬空。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述在所述待测试区域的相对两侧分别形成第一沟槽和第二沟槽，包括：

采用聚焦离子束，沿第一方向轰击所述待测试区域的两侧，以在所述待测试区域的相对两侧分别形成所述第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一方向包括垂直于所述半导体结构表面的方向；

所述去除所述第一沟槽和第二沟槽之间的位于所述待测试区域下方的结构，包括：

采用聚焦离子束，轰击所述待测试区域下方的待测半导体结构，以去除所述第一沟槽和第二沟槽之间的位于所述待测试区域下方的结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽在所述半导体结构的一侧面形成有缺口；

所述轰击所述待测试区域下方的待测半导体结构，包括：

从所述缺口，沿第二方向轰击所述待测试区域下方的半导体结构，直至所述第一沟槽和第二沟槽相互连通；所述第二方向与所述第一方向垂直。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述轰击所述待测试区域下方的半导体结构，包括：

分别从所述第一沟槽和所述第二沟槽中靠近所述待测试区域的侧面，以与所述侧面形成预设倾斜角度的方向轰击所述待测试区域下方的待测半导体结构，直至所述第一沟槽和第二沟槽相互连通。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待测试区域施加变化的载荷，包括：

在所述待测试区域施加逐渐增大的载荷。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述待测试区域施加载荷之前，确定第一位置；

所述在所述待测试区域施加载荷包括：

在所述第一位置施加载荷；

所述确定所述第一位置，包括：

利用扫描探针成像，对所述待测半导体结构表面进行扫描得到表面轮廓；

利用所述表面轮廓，结合图像处理，标记出所述待测试区域表面的几何中心的位置；

将所述几何中心所在的位置作为所述第一位置。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：利用电镜对所述待测试区域被破坏的待测半导体结构进行观察，以进行失效分析。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测半导体结构包括衬底和位于衬底上的后端制程层；

所述选择所述待测半导体结构中的具有目标尺寸的部分区域作为待测试区域，包括：

选择所述后端制程层中的具有目标尺寸的部分区域作为待测试区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构包括三维存储器芯片。

11.一种强度测量样品，其特征在于，包括：

待测半导体结构；

位于待测半导体结构中的第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽的底部相互连通；

位于所述第一沟槽和第二沟槽中间悬空的待测试区域；所述待测试区域具有目标尺寸。