[发明专利]一种耐高温抗氧化复合涂层及其制备工艺在审

专利信息
申请号: 202011297974.2 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112321331A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 吴宝林;侯振华;吴迪 申请(专利权)人: 江西信达航科新材料科技有限公司
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89;C04B35/83
代理公司: 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 代理人: 沈振涛
地址: 330000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐高温 氧化 复合 涂层 及其 制备 工艺
【说明书】:

发明提供了一种耐高温抗氧化复合涂层的制备工艺,是通过将氨硼烷和二茂铁混合均匀后喷涂在C/C基体表面,高温高压环境下生成BN晶须;随后向反应釜中通入PCS,高温高压条件下继续在C/C基体表面沉积一层SiC涂层。同时,还提供了上述制备工艺获得涂层,在C/C基体材料中的应用,本发明中的BN晶须本身具有良好的耐高温性能,在SiC涂层和C/C基体之间起到良好的桥接作用,使得SiC涂层在C/C基体表面附着更紧密,高温氧化环境下也不易发生剥离。另外,采用本发明制备的SiC涂层,工艺简单,性能稳定,提高材料的耐高温、抗氧化性能。

技术领域

本发明属于涂层制备领域,特别是涉及一种耐高温抗氧化复合涂层及其制备工艺。

背景技术

C/C(炭/炭)复合材料由于其突出的比强度和比模量,在航空航天、武器装备、火箭导弹等领域展现了巨大的应用前景。但C/C材料在400℃空气环境下即开始氧化,限制了其作为高温热结构材料的应用。在C/C复合材料表面制备一层抗氧化涂层,是进一步提高复合材料力学性能及高温抗氧化性能的重要方法之一。目前,使用的涂层材料主要有SiC、Si3N4、B4C以及高温难熔金属Zr、Hf、Ta、Cr的氧化物和碳化物。【李春华,黄可龙,李效东,等。聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC涂层研究[J].材料科学与工艺,2005,13(2):222-224.】

SiC由于其高温下极低的热膨胀系数和良好的抗氧化能力,得到了国内外学者的广泛关注。C/C复合材料表面SiC涂层的制备主要有包括:包埋法、先驱体浸渍裂解法、溶胶凝胶法、液相渗透、气相沉积、等离子喷涂等。其中,先驱体浸渍裂解法具有工艺简单、产品的成分及结构可控、可设计性强等优点,是制备SiC涂层的理想方法。但是先驱体浸渍裂解法制备的SiC涂层在高温下容易从基体材料剥离,降低了高温下对C/C复合材料的防护性能。

发明内容

为了解决上述中的技术问题,本发明提供的一种耐高温抗氧化复合涂层的制备工艺,具体工艺步骤为

(1)C/C基体材料预处理

用砂纸打磨清除C/C基体材料表面浮凸部分;基体在酒精中清洗后于马弗炉中60-80℃烘干,备用;

(2)制备混合粉末1

二茂铁溶于乙醚中,室温下搅拌,向其中缓慢加入氨硼烷并搅拌0.5-2小时,随后将混合物置于马弗炉中于35-40℃干燥,直至有机溶剂完全挥发,得混合粉末1;

(3)喷涂混合粉末1

使用喷涂设备将混合粉末1预置在C/C基体材料表面,预置层的厚度为0.1-0.3mm;

(4)反应釜反应

将表面有预置层的C/C基体材料置于反应釜中,通入惰性气体,加压至2-3Mpa,以5-10℃/min升温至1500-1600℃,保温2-4小时;随炉冷却至600-850℃并保温;

(5)通入液态聚碳硅烷PCS继续反应釜中反应

用鼓泡法以惰性气体为载气,向反应釜中通入液态聚碳硅烷PCS;当反应釜内液态聚碳硅烷PCS浓度达到0.05-0.5mol/L时,以5-10℃/min的速率加热至1200-1400℃并保温4-8小时;随后停止通入液态聚碳硅烷PCS,保持惰性气体流量100-200ml/min,随炉冷却至室温;

(6)获得成品

C/C基体材料取出,再次用砂纸轻轻打磨表面浮凸部分,置于酒精中清洗并于马弗炉中60-80℃烘干。

作为改进,步骤(2)中,二茂铁、乙醚、氨硼烷的质量比为(0.5-2):(5-10):(30-50)。

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