[发明专利]载台组件

说明书

本发明公开了一种载台组件，包括基座与外墙。所述基座具有基材承载座以及围绕其的圆形凹槽，再者，外墙围绕于圆形凹槽的外围。所述圆型凹槽的外缘与基材承载座的边缘之间具有小于或等于5毫米的第一宽度，以及圆形凹槽的底部与外墙的顶部具有垂直的第一深度，其中所述第一深度与第一宽度的深宽比为1.5‑4。当基材透过所述载台组件受沉积作用时，载台组件可防止基材的非目标面受到沉积。

技术领域

本发明关于一种载台组件，尤其指一种利用外墙与圆形凹槽的结构设计来降低基材的非目标面受到沉积的一种载台组件。

背景技术

在发光二极管(LED)与半导体工艺中，通常具有镀膜制程(例如，物体气相沉积(PVD))。然而，于现有技术的镀膜制程中，常发生因基材的非目标面受到靶材粒子的沉积而导致电性异常或产品良率下降等问题。举例而言，如图1所示，图1是现有技术的一种载台装置的示意图。在传统半导体制程中，用以承载晶圆W103的载台Tray1为一个平台，当晶圆W103的晶背受到靶材TGT的渗镀或背镀时，可能使晶圆W103良率偏低。此外，在绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的制程中，若晶圆发生背镀现象，将使镀膜的靶材被镀于晶圆的工作区域，导致晶圆表面晶体管短路而严重影响产品良率。

现今有一种解决方式如图2所示，图2是现有技术的另一种载台装置的示意图。所述方法是于装载基材103的载台Tray2的边缘挖一圈深沟(凹槽)，并于中间形成基材承载座。所述方法可部份解决背镀的问题(如图2中的右框线A1内所示)，然而，仍然有部分的靶材TGT持续造成基材103的渗镀或背镀等问题(如图2中的左框线A2内所示)。再者，如图3所示，图3是现有技术的另一种载台装置的示意图。半导体镀膜制程通常在高温下进行，高温常使得晶圆W103发生翘曲，因此，更容易导致背镀现象产生。因此，在各种使用镀膜制程的工艺中，如何降低基材的非目标面受到靶材的沉积是目前亟需解决的问题。

发明内容

因此，为了克服现有技术的不足之处，本发明实施例提供一种载台组件，适用于防止基材的非目标面受沉积。所述载台组件具有基座以及外墙。当所述载台组件承载基材时，可透过外墙以及基座的凹槽来阻挡基材的非目标面受到沉积，以藉此降低基材的良率问题。本发明实施例提供的一种载台组件，适用于防止基材的非目标面受沉积。所述载台组件包括基座以及外墙。所述基座具有圆形凹槽，以使基座的中间形成圆形的基材承载座，所述圆形凹槽的外缘与所述基座的外缘之间具有第一距离并形成外墙底座，其中外墙底座具有外墙底座内面，而外墙底座内面相邻圆形凹槽。所述外墙沿着所述外墙底座向上延伸，外墙具有外墙内面，而外墙内面相邻圆形凹槽，其中外墙内面与外墙底座内面彼此切齐。所述圆型凹槽的外缘与所述基材承载座的边缘之间具有第一宽度，以及所述圆形凹槽的底部与所述外墙的顶部具有垂直的第一深度，其中第一深度与第一宽度的深宽比为1.5-4，其中第一宽度小于或等于5毫米。

可选地，所述第一深度与所述第一宽度的深宽比为2-2.5，其中第一宽度小于或等于2毫米。

可选地，所述第一宽度小于或等于1毫米。

可选地，所述基座与所述外墙为组合而成，而所述圆形凹槽的底部与所述外墙底座的顶部之间具有凹槽外侧深度，以及所述圆形凹槽的底部与所述基材承载座的顶部具有凹槽内侧深度，其中凹槽外侧深度大于、等于或小于凹槽内侧深度。

可选地，所述凹槽外侧深度大于1毫米，所述凹槽内侧深度大于1毫米。

可选地，所述载台组件更包括遮蔽顶座，为中空环状圈体，设置于所述外墙的上方，所述遮蔽顶座围绕一個中空部分，而所述中空部分的直径小于所述圆形凹槽的圆形凹槽外缘的直径。

可选地，所述遮蔽顶座还包括底部内缘，相邻所述中空部分，而所述底部内缘与所述圆形凹槽的外缘之间具有第三距离，而所述第三距离为1-3毫米。所述遮蔽顶座的底部与所述外墙的顶部之间具有第四距离，而所述第四距离为0-3毫米。