[发明专利]内存装置和在内存装置中辅助读取操作的方法在审
申请号: | 202011295980.4 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112837719A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 林纪舜;柳德铉 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C7/06;G11C17/18 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 宋兴;刘芳 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内存 装置 辅助 读取 操作 方法 | ||
本发明提供一种内存装置以及在内存装置中辅助读取操作的方法。内存装置可包含逻辑电路、电荷泵、开关以及感测放大器。逻辑电路配置成接收至少一个输入信号且对至少一个输入信号执行逻辑操作以输出使能信号。电荷泵耦接到逻辑电路,且配置成根据使能信号产生升压电压。开关耦接于电荷泵与感测电源线之间,且配置成根据使能信号控制电荷泵与感测电源线之间的电连接,以将升压电压供应到感测电源线。感测放大器配置成使用来自感测电源线的升压电压执行读取操作。
技术领域
本发明涉及一种内存装置,且具体来说涉及一种内存装置和可改进读取操作的性能的内存装置的方法。
背景技术
近年来,内存装置用于在广泛范围的电子装置中储存信息。出于低功耗的目的,已引入具有低功耗的内存装置。举例来说,低功耗内存装置可具有低于1V上电复位(power-on-reset;POR)跳脱点,且在低功耗内存装置的上电过程期间需要用于读取操作(例如,熔丝读取、寄存器读取)的低电源。然而,低电源可导致读取操作的速度和准确度下降。
随着近年来内存装置的普及,用于改进内存装置的性能的更具创新性的方法和设计的需求已增长。
发明内容
本发明引入一种内存装置和其方法,所述方法可在读取操作中产生升压电压且将升压电压供应到感测电源线,进而改进读取操作的性能。
在一些实施例中,内存装置包含逻辑电路、电荷泵、开关以及感测放大器。逻辑电路配置成接收至少一个输入信号且对至少一个输入信号执行逻辑操作以输出使能信号。电荷泵耦接到逻辑电路,且配置成根据使能信号产生升压电压。开关耦接于电荷泵与感测电源线之间,且配置成根据使能信号控制电荷泵与感测电源线之间的电连接,以将升压电压供应到感测电源线。感测放大器配置成使用来自感测电源线的升压电压执行读取操作。
在一些实施例中,内存装置包含逻辑电路、多级电荷泵、第一开关、第二开关以及感测放大器。逻辑电路配置成接收至少一个输入信号且对至少一个输入信号执行逻辑操作以输出使能信号。多级电荷泵可包括第一级和第二级,且配置成根据使能信号通过第一级产生第一升压电压且通过第二级产生第二升压电压。第一开关耦接于多级电荷泵的第一级与感测电源线之间,且配置成根据使能信号将第一升压电压供应到感测电源线。第二开关耦接于多级电荷泵的第二级与感测电源线之间,且配置成根据使能信号将第二升压电压供应到感测电源线。感测放大器配置成使用来自感测电源线的第一升压电压和第二升压电压执行读取操作。
在一些实施例中,方法包含以下步骤:对至少一个输入信号执行逻辑操作以产生使能信号;根据使能信号通过电荷泵产生升压电压;根据使能信号控制电荷泵与感测电源线之间的电连接以将升压电压供应到感测电源线;以及使用来自感测电源线的升压电压执行读取操作。
附图说明
包含附图以提供对本发明的进一步理解,并且附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例,且与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明的一些实施例的内存装置的示意图;
图2是示出根据本发明的一些替代性实施例的内存装置的示意图;
图3是示出根据本发明的一些实施例的辅助内存装置中的读取操作的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
应理解,在不脱离本发明的范围的情况下,可利用其它实施例且可作出结构性改变。此外,应理解,本文中所使用的措词和术语是出于描述的目的且不应视为是限制性的。本文中使用“包含”、“包括”或“具有”以及其变化形式意在涵盖其后列出的项目和其等效物以及额外项目。除非另有限制,否则术语“连接(connected)”以及“耦接(coupled)”及其在本文中的变体是广义上使用的并且涵盖直接和间接连接以及耦接。
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