[发明专利]反相双馈电式微波探测模块在审
申请号: | 202011292276.3 | 申请日: | 2020-11-18 |
公开(公告)号: | CN112510362A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 邹高迪;邹新 | 申请(专利权)人: | 深圳迈睿智能科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/50 | 分类号: | H01Q1/50;H01Q1/48;H01Q1/38;H01Q23/00;G01S7/02 |
代理公司: | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 孟湘明 |
地址: | 518127 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反相双 馈电 式微 探测 模块 | ||
1.一反相双馈电式微波探测模块,其特征在于,包括:
一馈源,其中所述馈源被设置允许被供电并以相应供电电源的正极或地极为参考地极输出一第一激励信号和与所述第一激励信号反相的一第二激励信号;
一参考地,其中所述参考地被设置为片状导电层;以及
至少一辐射元,其中各所述辐射元被设置为片状导电层并与所述参考地以两所述片状导电层的层面趋于平行的状态相间隔,其中各所述辐射元等效具有两电学馈电点,其中各所述辐射元的两所述电学馈电点的连线经过所述辐射元的物理中心点,其中各所述辐射元被设置于其中一所述电学馈电点接入所述第一激励信号和于另一所述电学馈电点接入所述第二激励信号,以形成对所述辐射元的反相双馈电。
2.根据权利要求1所述的反相双馈电式微波探测模块,其中所述馈源具有被设置为三极管或场效应管的一三端子晶体管,其中在所述三端子晶体管被设置为三极管的状态,各所述辐射元于其中一所述电学馈电点被电性耦合于所述三极管的发射极或基极,和于另一所述电学馈电点被电性耦合于所述三极管的集电极,其中在所述三端子晶体管被设置为场效应管的状态,各所述辐射元于其中一所述电学馈电点被电性耦合于所述场效应管的源极或栅极,和于另一所述电学馈电点被电性耦合于所述场效应管的漏极,如此以在所述馈源被供电的状态,形成对所述辐射元的反相双馈电。
3.根据权利要求2所述的反相双馈电式微波探测模块,其中所述馈源以模拟电路形态被实施为具有所述三端子晶体管的振荡电路。
4.根据权利要求3所述的反相双馈电式微波探测模块,其中所述三端子晶体管被设置为三极管,其中所述辐射元于其中一所述电学馈电点经一等效电容被电性耦合于所述三极管的集电极,和于另一所述电学馈电点经另一等效电容被电性耦合于所述三极管的发射极,其中所述等效电容为在对应所述第一激励信号和所述第二激励信号的频率的电信号下具有电容特性的电路或电子元件。
5.根据权利要求4所述的反相双馈电式微波探测模块,其中至少一所述等效电容被实施为电容元件。
6.根据权利要求4所述的反相双馈电式微波探测模块,其中至少一所述等效电容被实施为微带分布电容。
7.根据权利要求4所述的反相双馈电式微波探测模块,其中所述反相双馈电式微波探测模块进一步包括一微带混频器,其中各所述辐射元于所述辐射元的其中一所述电学馈电点经所述微带混频器被电性耦合于所述三端子晶体管。
8.根据权利要求2所述的反相双馈电式微波探测模块,其中所述馈源以集成电路形态被设计而被设置为集成有所述三端子晶体管的一微波芯片,其中所述微波芯片具有两发射端,其中在所述三端子晶体管被设置为三极管的状态,所述微波芯片的两所述发射端分别被电性耦合于所述三极管的集电极和发射极,其中在所述三端子晶体管被设置为场效应管的状态,所述微波芯片的两所述发射端分别被电性耦合于所述场效应管的源极和漏极,以于其中一所述发射端输出所述第一激励信号和于另一所述发射端输出与所述第一激励信号反相的所述第二激励信号。
9.根据权利要求2所述的反相双馈电式微波探测模块,其中所述馈源以半集成电路形态被设计而被设置为外接有所述三端子晶体管的微波芯片,其中所述微波芯片具有对应输出所述第一激励信号的一发射端,其中在所述三端子晶体管被设置为三极管的状态,所述微波芯片的所述发射端被电性耦合于所述三极管的基极或发射极,以于所述发射端输出所述第一激励信号和于所述三极管的集电极输出所述第二激励信号,其中在所述三端子晶体管被设置为场效应管的状态,所述微波芯片的所述发射端被电性耦合于所述场效应管的栅极或源极,以于所述发射端输出所述第一激励信号和于所述场效应管的源极漏极输出所述第二激励信号。
10.根据权利要求1所述的反相双馈电式微波探测模块,其中所述馈源被设置为具有两个发射端的微波芯片,其中所述微波芯片被设置于其中一所述发射端输出所述第一激励信号和于另一所述发射端输出与所述第一激励信号反相的所述第二激励信号。
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