[发明专利]一种研磨垫

说明书

本发明提供一种研磨垫，涉及半导体制造领域，包括研磨垫底层、位于研磨垫底层上的多个沟槽、位于研磨垫底层上的多个导流槽；所述多个沟槽分别为同心圆设置，所述多个导流槽分别与多个沟槽交叉设置。本发明通过在研磨垫底层上交错设置导流槽和沟槽，使得研磨液能够快速、均匀的分布开来，不会造成研磨液的浪费，提高研磨的效率；通过在沟槽内设置阻流块，通过阻流块能够挡住一部分的研磨液，防止研磨液的流失，达到节约成本的目的。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种研磨垫。

背景技术

化学机械研磨也被成为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，CMP)或者化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)。在半导体制造工艺中，表面平坦化是处理高密度光刻的一项重要技术，在表面平坦化的过程中，控制晶片表面厚度的均匀性非常重要，因为只有没有高度落差的平坦表面才能避免曝光散射，而达成精密的图案转移；同时，晶片表面厚度的均匀性也将会影响到电子器件的电性能参数，厚度不均匀会使同一晶片上制作出的器件性能产生差异，影响成品率。

随着半导体制造工艺的发展，化学机械抛光被认为是目前唯一能提供晶片全局和局部平坦化的工艺技术。化学机械抛光工艺已被广泛用于层间介质、金属层(如钨栓塞、铜连线)、浅沟槽隔离的去除和平整，成为半导体制造工艺中发展最快的领域之一。研磨装置包括一研磨头，在进行化学机械研磨工艺时，将待研磨的晶圆附着在研磨头上，所述晶圆的待研磨面向下并与相对旋转的研磨垫紧贴，所述研磨头提供的下压力将所述晶圆紧压到研磨垫的表面上，所述研磨垫粘贴于一研磨平台上，当所述研磨平台在一马达的带动下进行旋转时，所述研磨头也随之进行相应运动；同时，研磨液通过一研磨液单元涂覆在所述研磨垫上，所述研磨液由离心力均匀地分布在所述研磨垫上。请参阅图1-图2，现有的研磨垫包括：研磨垫本体1，设置于研磨垫底层1表面的多个沟槽2，所述研磨垫底层1在进行转动时，容易将所述研磨液通过沟槽2甩出，不但会造成研磨液的浪费，还会降低研磨的效率。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种研磨垫，用于解决现有技术中研磨垫的研磨液容易通过沟槽甩出，不但会造成研磨液的浪费，还会降低研磨的效率的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种研磨垫，包括研磨垫底层、位于研磨垫底层上的多个沟槽、位于研磨垫底层上的多个导流槽；所述多个沟槽分别为同心圆设置，所述多个导流槽分别与多个沟槽交叉设置。

本发明中，通过在研磨垫底层上交错设置导流槽和沟槽，使得研磨液能够快速、均匀的分布开来，不会造成研磨液的浪费，提高研磨的效率。

于本发明的一实施例中，所述多个导流槽由内侧到外侧倾斜向上设置；由于导流槽为倾斜设置，当研磨垫底层在进行转动时，研磨液不容易被甩出，不会造成研磨液的浪费。

于本发明的一实施例中，所述多个沟槽内部分别设置有阻流块，且相邻两个沟槽内部的阻流块交错设置；由于沟槽内设置有阻流块，通过阻流块能够挡住一部分的研磨液，防止研磨液的流失，达到节约成本的目的。

于本发明的一实施例中，所述研磨垫底层的外侧高度H1大于内侧高度H2，更加有效的防止研磨液被甩出。

于本发明的一实施例中，所述多个沟槽的宽度L范围均为10mm～15mm，深度H2范围均为5mm～10mm；通过合理设置沟槽的宽度和深度，确保沟槽内能够存储适量的研磨液，并且不会因为研磨垫底层转动而出现研磨液飞溅的问题。

于本发明的一实施例中，所述高度H1的范围为10mm～15mm，所述高度H2的范围为5mm～10mm。

于本发明的一实施例中，所述多个导流槽的宽度范围均为3mm～6mm，深度范围均为3mm～8mm；通过合理设置导流槽的高度和宽度，确保导流槽内研磨液的流动，并且不会因为研磨垫底层转动而出现研磨液飞溅的问题。