[发明专利]一种输出级限流电路在审
申请号: | 202011272214.6 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN114498589A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 王野;于翔;谢程益;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙) 11689 | 代理人: | 赵卿;王萍 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输出 限流 电路 | ||
1.一种输出级限流电路,包括推挽单元、限流单元和输出单元,其特征在于:
所述推挽单元,用于接收来自芯片的输入电压并根据所述输入电压生成推挽电流;
所述限流单元,用于接收来自所述推挽单元的推挽电流并判断所述推挽电流的大小,基于判断结果稳定所述推挽电流并生成限流电流;
所述输出单元,用于接收所述限流电流并基于所述限流电流生成输出电流。
2.根据权利要求1中所述的一种输出级限流电路,其特征在于:
所述推挽单元为PMOS管和NMOS管组成的推挽电路,其中,PMOS管的栅极和NMOS管的栅极分别与芯片的输入电压端相连接,PMOS管的漏极与NMOS管的漏极相连接作为推挽单元的输出端以发送所述推挽电流至所述限流单元,PMOS管的源极接高电压,NMOS管的源极接地,且PMOS管或NMOS管的源极中的一个通过所述限流单元接高电压或接地。
3.根据权利要求2中所述的一种输出级限流电路,其特征在于:
所述限流单元包括第一限流电阻、第二限流电阻和限流场效应管;
所述输出单元包括第一输出管和第二输出管。
4.根据权利要求3中所述的一种输出级限流电路,其特征在于:
所述限流场效应管、第一输出管、第二输出管均为NMOS管;并且,
所述第一限流电阻一端接地,另一端与第二输出管的源极相连接;
所述第二限流电阻一端接高电压,另一端与所述推挽单元的PMOS管的源极相连接;
所述限流场效应管源极接地,漏极与所述推挽单元的输出端相连接,栅极与所述第一限流电阻和第二输出管的源极相连接。
5.根据权利要求3中所述的一种输出级限流电路,其特征在于:
所述限流场效应管、第一输出管、第二输出管均为PMOS管;并且,
所述第一限流电阻一端接高电压,另一端与第二输出管的源极相连接;
所述第二限流电阻一端接地,另一端与所述推挽单元的NMOS管的源极相连接;
所述限流场效应管源极接高电压,漏极与所述推挽单元的输出端相连接,栅极与所述第一限流电阻和第二输出管的源极相连接。
6.根据权利要求4中所述的一种输出级限流电路,其特征在于:
所述第一输出管和第二输出管的栅极分别与所述推挽单元的输出端相连接,第一输出管和第二输出管的漏极相互连接作为所述输出单元的输出端;
所述第一输出管的源极接地,所述第二输出管的源极经过所述限流单元的第一限流电阻接地。
7.根据权利要求5中所述的一种输出级限流电路,其特征在于:
所述第一输出管和第二输出管的栅极分别与所述推挽单元的输出端相连接,第一输出管和第二输出管的漏极相互连接作为所述输出单元的输出端;
所述第一输出管的源极接高电压,所述第二输出管的源极经过所述限流单元的第一限流电阻接高电压。
8.一种输出级限流电路,包括第一推挽单元、第二推挽单元、第一限流单元、第二限流单元、第一输出单元和第二输出单元,其特征在于:
所述第一推挽单元和第二推挽单元,用于分别接收来自芯片的输入电压并根据所述输入电压生成推挽电流;
所述第一限流单元和所述第二限流单元,用于分别接收来自所述第一推挽单元和所述第二推挽单元的推挽电流并判断所述推挽电流的大小,基于判断结果稳定所述推挽电流并生成第一限流电流和第二限流电流;
所述第一输出单元和所述第二输出单元,用于分别接收所述第一限流电流和所述第二限流电流并基于所述第一限流电流和所述第二限流电流生成第一输出电流和第二输出电流,并求和生成输出电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圣邦微电子(北京)股份有限公司,未经圣邦微电子(北京)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011272214.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。