[发明专利]一种用于降解啶虫脒、吡虫啉、氧化乐果农药残留的微生物菌剂及其制备方法在审
| 申请号: | 202011262747.6 | 申请日: | 2020-11-12 |
| 公开(公告)号: | CN112322538A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
| 发明(设计)人: | 何微;岳苑;贾冰凝;马桂娟;朱捷;杨建兴;吴明;汪洪 | 申请(专利权)人: | 宁夏回族自治区食品检测研究院 |
| 主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C12N11/14;B09C1/10;A62D3/02;C05F11/08;C12R1/085;C12R1/11;C12R1/07;A62D101/04;A62D101/45 |
| 代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 张学府 |
| 地址: | 750011 宁夏回族自治区银川*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 降解 啶虫脒 吡虫啉 氧化 乐果 农药 残留 微生物 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种用于降解啶虫脒、吡虫啉、氧化乐果农药残留的微生物菌剂及其制备方法,用以解决现有枸杞种植中普遍使用农药的问题;大量使用一方面使害虫的抗药性不断加大,另一方面也使害虫天敌受到极大的摧残,进而增加了枸杞种植对农药的依赖性,导致枸杞中农残含量较高易引发食品安全问题。该微生物菌剂的组成及其质量百分比为:微生物菌27‑35%,腐殖酸30%,牛肉膏30‑40%,助剂1‑2%。应用的三株菌种适应性强、稳定性好、增殖速度快,且协同效果显著,应用于枸杞种植过程中,可有效降解土壤中的啶虫脒、吡虫啉、氧化乐果的农药残留,防止枸杞病虫害的发生,改善枸杞果实及叶片的品质,同时促进枸杞的生长。
技术领域
本发明涉及微生物技术领域,特别涉及一种用于降解啶虫脒、吡虫啉、氧化乐果农药残留的微生物菌剂。
背景技术
宁夏是枸杞原产地,栽培枸杞已有500多年的历史。枸杞色艳、粒大、皮薄、肉厚、籽少、甘甜,品质超群,是被载入新中国药典的枸杞品种,国家医药管理局将宁夏定为全国的药用枸杞产地,引入全国十大药材生产基地之一。明代杰出医药学家李时珍所著《本草纲目》中,将宁夏枸杞列为本经上品,称“全国入药杞子,皆宁产也”,意思是宁夏枸杞从药效和营养价值上讲居国内前列。
但是,当前的现有技术中,枸杞种植中普遍使用农药,大量使用一方面使害虫的抗药性不断加大,另一方面也使害虫天敌受到极大的摧残,进而增加了枸杞种植对农药的依赖性,导致枸杞中农残含量较高易引发食品安全问题。随着农药使用量及使用种类的增加,枸杞种植土壤中的、枸杞果实以及枸杞叶片中的农药残留量也在不断升高。
因此,为不断提升宁夏枸杞品牌竞争力,解决农药使用过程中的食品安全问题,亟待找到一种安全、高效、彻底、低成本的去除枸杞中农药残留的技术。
发明内容
根据现有技术中存在的技术缺陷,本发明所要解决的技术问题是:提供一种用于降解啶虫脒、吡虫啉、氧化乐果农药残留的微生物菌剂,解决因农药使用量的不断增加,致使枸杞种植土壤中的、枸杞果实以及枸杞叶片中的农药残留量也在不断增加的问题,减少枸杞种植过程中农药污染机残留的情况,提升枸杞品质的同时保护生态环境安全。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案为:
一种用于降解啶虫脒、吡虫啉、氧化乐果农药残留的微生物菌剂及其制备方法,所述微生物菌剂的组成及其质量百分比为:微生物菌27-35%,腐殖酸30%,牛肉膏30-40%,助剂1-2%。
作为本发明的进一步改进,所述微生物菌包括蜡样芽孢杆菌、巨大芽孢杆菌以及短小芽孢杆菌;所述蜡样芽孢杆菌,简称GQ-001;所述巨大芽孢杆菌,简称GQ-002;所述短小芽孢杆菌,简称GQ003;这三株菌均是从宁夏枸杞种植地土壤中筛选出的优势菌株。
作为本发明的进一步改进,所述微生物菌的每一种有效菌的活菌数≥3亿/g,有机质含量≥35%。
作为本发明的进一步改进,所述助剂包括腐殖酸钠、黄腐酸钾、磷酸二氢钾和硫酸铵等。
作为本发明的进一步改进,所述微生物菌剂的制备方法包括如下步骤:
(1)菌种活化:将从土壤中筛选出并经过农药耐受实验驯化的低温保存的所述蜡样芽孢杆菌、所述短小芽孢杆菌与所述短小芽孢杆菌菌株分别接种于营养琼脂培养基上,36℃恒温条件下培养24-36h;
(2)一级种子液的制备:配制LB液体培养基,分装于500mL三角瓶中,每瓶装液量为200mL,将分装好的培养基高压灭菌后接入活化好的所述蜡样芽孢杆菌、所述巨大芽孢杆菌与所述短小芽孢杆菌,36℃,240rpm/min摇床培养 20-24h;
(3)二级种子液的制备:配制种子罐培养基,将步骤(2)得到的所述一级种子液,按3-5%的接种量分别接入500L种子罐,温度36℃,转速240rpm/min,通气量0.8V/V·min条件下培养24h;
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