[发明专利]Al-Si系合金、其制备方法及5G通信基站的散热件有效
| 申请号： | 202011224326.4 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112410624B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘桂亮;孙谦谦;韩梦霞;刘相法 | 申请（专利权）人： | 山东迈奥晶新材料有限公司;山东吕美熔体技术有限公司;山东大学 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C1/03;C22C1/10;C22F1/043 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包国菊;刘奕晴 |
| 地址： | 276400 山东省临沂市沂水县裕*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | al si 合金 制备 方法 通信 基站 散热 | ||
1.一种Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金包括Al、Si、Fe以及TiCB@TiBC粒子，
基于100wt％的所述Al-Si系合金，Si的含量为4.0wt％-14.0wt％、Fe的含量为0.1wt％-1.2wt％，
所述TiCB@TiBC粒子包括核部和壳部，所述核部包含B掺杂型TiCB，所述壳部包覆所述核部的至少一部分并包含TiBC三元相，其中，B掺杂型TiCB是指B原子占据TiCx晶体的C空位而形成的TiCB相，TiBC三元相是指由Ti、B和C组成的三元相，其中，x＜1。
2.根据权利要求1所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述核部中的C含量高于所述壳部中的C含量，所述核部中的B含量低于所述壳部中的B含量，
所述B掺杂型TiCB由TiCxBy表示，其中，0.72＜x＜0.81，0＜y＜0.17。
3.根据权利要求1或2所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金还包含AlN粒子。
4.根据权利要求3所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述TiCB@TiBC粒子和所述AlN粒子为纳米级别。
5.根据权利要求3所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述AlN粒子按照短链状或串状分布。
6.根据权利要求1所述的Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金还包括Mn、Mg、Zn和Cu中的至少一种，其中，基于100wt％的所述Al-Si系合金，Mn的含量为0.05wt％-0.5wt％、Mg的含量为0.1wt％-0.45wt％、Zn的含量为小于等于0.1wt％、Cu的含量为0.02wt％-4.5wt％。
7.一种Al-Si系合金，其特征在于，所述Al-Si系合金包括Al、Si、TiCB@TiBC粒子和AlN粒子，所述TiCB@TiBC粒子包括核部和壳部，所述核部包含B掺杂型TiCB，所述壳部包覆所述核部的至少一部分并包含TiBC三元相，其中，B掺杂型TiCB是指B原子占据TiCx晶体的C空位而形成的TiCB相，TiBC三元相是指由Ti、B和C组成的三元相，其中，x＜1。
8.一种根据权利要求1所述的Al-Si系合金的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
制备包括Al、Si和Fe的合金熔体；
在所述合金熔体中添加TiCB-Al晶种合金，所述TiCB-Al晶种合金包括所述TiCB@TiBC粒子。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述TiCB-Al晶种合金中不含TiAl3相。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述TiCB-Al晶种合金的添加量为所述合金熔体的总重量的0.1wt％-10.0wt％，基于100wt％的所述TiCB-Al晶种合金，所述TiCB@TiBC粒子的含量为0.5wt％-5.0wt％。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括在所述合金熔体中添加Al-N系晶种合金，所述Al-N系晶种合金包括AlN粒子，所述Al-N系晶种合金的添加量为所述合金熔体的总重量的0.1wt％-10.0wt％，基于100wt％的所述Al-N系晶种合金，所述AlN粒子的含量为0.5wt％-10.0wt％。
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