[发明专利]用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模

权利要求书

1.一种用于极紫外光刻的空白掩模，包括：

反射膜、覆盖膜以及吸收膜，依序形成于透明基板上，

其中所述反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述反射膜是其中钼/硅结构、钼/碳化硼/硅/碳/钼结构以及钼/碳/硅/碳化硼/钼结构中的一种以多层堆叠的结构。

3.根据权利要求2所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述反射膜中的碳化硼或碳中的至少一种以具有0.1纳米到5纳米的厚度的层形成。

4.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述反射膜在200℃到500℃的温度下被热处理。

5.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述反射膜或所述覆盖膜在成膜之后经受用于通过电子束处理抑制氧化物膜的形成的电中和处理。

6.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，进一步包括：

应力控制层，设置在所述透明基板与所述反射膜之间且具有凹型。

7.根据权利要求6所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述应力控制层由含有以下中的至少一种的材料制成：铬、钽、硼、钼、钒、钴、银、锑、钛、碘、铅、镓、铋、钴、锡、碲、镍、锆、硅、铌、铂、钯、锌、铝、锰、镉、镁、锂、硒、铜、铪以及钨，或进一步含有氧、氮、碳、硼以及氢中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述应力控制层具有10纳米到100纳米的厚度。

9.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述覆盖膜由含有钌或铌中的至少一种的材料制成，或进一步含有氧、氮以及碳中的至少一种轻元素。

10.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述吸收膜由具有两层结构的钽化合物制成，在所述两层结构中，上部层含有氧且下部层不含有氧。

11.根据权利要求10所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述下部层由含有以下中的至少一种的材料制成：钽、氮化钽、碳氮化钽、碳化钽、硼化钽、硼氮化钽以及硼碳化钽，或进一步含有氢。

12.根据权利要求10所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述下部层以组成比在厚度方向上变化的连续膜的形式形成。

13.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述吸收膜由具有三层结构的钽化合物制成。

14.根据权利要求13所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述吸收膜形成为使得中间层中的氮含量比下部层的氮含量高1原子％到20原子％。

15.根据权利要求14所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述吸收膜的所述中间层具有3纳米到40纳米的厚度。

16.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述吸收膜具有两个或大于两个层的结构且由钽化合物制成，且所述吸收膜的上部层之下的层具有钽：氮＝95原子％：5原子％到50原子％：50原子％的组成比。

17.根据权利要求1所述的用于极紫外光刻的空白掩模，其中所述吸收膜由含有硼的钽化合物制成，且具有40原子％到90原子％的钽、5原子％到20原子％的硼以及5原子％到50原子％的氮的组成比。