[发明专利]存储装置和其多个实体单元纠错方法

说明书

本发明提供一种存储装置和其多个实体单元纠错的方法。存储装置包含多个存储单元和存储器控制电路。存储单元中的每一个包含第一类型实体单元和第二类型实体单元。存储器控制电路耦合到存储单元中的每一个。存储器控制电路将写入数据写入到第一类型实体单元中且验证存储在第一类型实体单元中的数据是否与写入数据相同。通过进行写入操作来设定和处理写入数据。当存储在第一类型实体单元中的数据与写入数据不同时存储器控制电路将写入数据写入到第二类型实体单元中。

技术领域

本发明涉及一种存储装置和其操作方法，且尤其涉及一种存储装置和用于存储装置中的多个实体单元纠错的方法。

背景技术

在存储装置的使用中，具有集成在单个芯片中的不同类型存储的多个非易失性存储器(non-volatile memory；NVM)与NVM分别在ECC信息位和ECC奇偶校验位中具有不同数据保持能力和不同循环耐久性。为了集成存储，合适的ECC方法为增强数据可靠性所必需。

发明内容

本公开涉及存储装置中的多个单元纠错方法且存储装置集成具有不同类型的实体单元的多个存储单元与存储器控制电路。

本公开提供包含多个存储单元和存储器控制电路的存储装置。存储单元中的每一个包含第一类型实体单元和第二类型实体单元。存储器控制电路耦合到存储单元中的每一个。存储器控制电路将写入数据写入到第一类型实体单元中且验证存储在第一类型实体单元中的数据是否与写入数据相同。通过进行写入操作来设定和处理写入数据。当存储在第一类型实体单元中的数据与写入数据不同时存储器控制电路将写入数据写入到第二类型实体单元中。

本公开提供一种用于存储单元中的多个单元纠错的方法。方法包括以下步骤：进行写入操作来将写入数据写入到第一类型实体单元中；验证存储在第一类型实体单元中的数据是否与写入数据相同；当存储在第一类型实体单元中的数据与写入数据不同时通过将写入数据写入到第二类型实体单元中来重新进行写入操作。

根据以上描述，本公开提供用于通过以下步骤对第一类型实体单元进行纠错的方法，因而实现存储单元中的多个实体单元纠错：验证存储在第一类型实体单元中的数据是否与写入数据相同；以及当存储在第一类型实体单元中的数据与写入数据不同时通过将写入数据写入到第二类型实体单元中来重新进行写入操作。多个单元纠错方法可应用于在信息位中具有不同数据保持能力和循环耐久性的存储装置，且还可应用于在奇偶校验位中具有不同数据保持和循环耐久性的存储装置。因而，可因此提高存储装置的循环率。

为了使本发明的前述和其它特征以及优点易于理解，下文详细描述带有附图的若干示范性实施例。

附图说明

包含附图以提供对本发明的进一步理解，且附图并入在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出本发明的实施例，且与描述一起用于解释本发明的原理。

图1示出根据本公开的另一实施例的存储装置；

图2示出根据本公开的实施例的存储装置；

图3示出示出根据本公开的实施例的用于存储单元中的多个实体单元纠错的方法的流程图。

具体实施方式

参考图1，所述图示出根据本公开的实施例的存储装置。在这一实施例中，存储装置100包含存储单元数组110和存储器控制电路120。存储单元数组110包含多个字线，字线中的每一个包含多个数据/码字110a。数据/码字110a中的每一个包含多个存储单元115。存储单元数组110和存储器控制电路120可集成到单个芯片。存储装置100是易失性存储装置和或非易失性存储装置。