[发明专利]一种去除半导体器件表面钨残留的方法

权利要求书

1.一种去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，其包括下述步骤：

(1)将钨淀积后的半导体器件经钨回刻工艺，得半导体器件A；其中：

所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度为A，所述钨回刻工艺去除的钨层厚度为B，所述B为所述A的40-60％；

(2)将步骤(1)中所述半导体器件A经化学机械抛光处理，去除所述半导体器件表面剩余的钨，即可。

2.如权利要求1所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，述半导体器件为晶圆；

和/或，所述半导体器件为通孔CD为0.5-2.0μm的大通孔半导体器件；

和/或，所述半导体器件为单层金属工艺制得的半导体器件或多层金属工艺制得的半导体器件。

3.如权利要求2所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，所述大通孔半导体器件为通孔为(1-1.5)μm*20μm的长条孔的半导体器件。

4.如权利要求1所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钨淀积的工艺按照下述步骤进行：先采用硅烷和氢气的混合气体与六氟化钨反应在所述半导体器件表面形成一薄层钨，然后通过六氟化钨和氢气反应在所述半导体器件表面生成钨。

5.如权利要求1所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度A为6500-10000A；

和/或，步骤(1)中，所述B为所述A的45-55％。

6.如权利要求5所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，所述B为所述A的46-51％。

7.如权利要求1所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钨回刻工艺按照下述步骤进行：通过等离子解离，和钨反应将表面钨通过干法刻蚀去除，即可。

8.如权利要求1所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钨淀积后的半导体器件的表面钨层厚度A和所述钨回刻工艺的刻蚀速率R、刻蚀时间T之间满足下述关系：A*40％≤R*T≤A*60％，所述刻蚀速率为140-160A/s；和/或，所述刻蚀时间为20-34s。

9.如权利要求1所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述化学机械抛光处理按照下述步骤进行：先通过钨研磨泥浆将钨氧化，然后通过机械作用将氧化后的钨去除，即可。

10.如权利要求9所述的去除半导体器件表面钨残留的方法，其特征在于，所述钨研磨泥浆为购自Cabot W2000的研磨泥浆。