[发明专利]一种氧化锌基气敏材料的制备方法、制得的气敏材料及其应用

权利要求书

1.一种用于硫化氢气体检测的MEMS气体传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)往氧化锌基气敏材料中加入分散液，进行球磨；

(2)将球磨后的浆料加载在MEMS芯片的检测电极上；

(3)将经过步骤(2)处理的芯片进行烧结，即制得MEMS敏感芯片；将制得的MEMS敏感芯片依次进行打线、封装、盖帽，即获得MEMS气体传感器；

所述氧化锌基气敏材料按照以下工艺进行制备：

(1)锌源溶液的配制：将锌盐与反应溶剂混合，搅拌至锌盐溶解；所述锌盐的质量与反应溶剂的体积比为1-5g:36mL；

(2)取有机碱溶液滴加到步骤(1)的锌盐溶液中，搅拌，再超声分散，得到浊液；所述有机碱溶液与锌盐溶液的体积比为1-5:36；所述的有机碱溶液选自四甲基氢氧化铵溶液、四乙基氢氧化铵溶液、四丙基氢氧化铵溶液、丁基氢氧化铵溶液、三甲胺、三乙胺、乙醇胺、三乙醇胺中的一种；

(3)将步骤(2)中的浊液置于50-90℃烘箱中静置反应1-24h，即制得氧化锌基气敏材料。

2.根据权利要求1所述的用于硫化氢气体检测的MEMS气体传感器的制备方法，其特征在于：在所述氧化锌基气敏材料的制备过程中，所述步骤(1)中将1-5g锌盐与36mL反应溶剂混合。

3.根据权利要求1所述的用于硫化氢气体检测的MEMS气体传感器的制备方法，其特征在于：在所述氧化锌基气敏材料的制备过程中，所述步骤(1)中的锌盐选自Zn(CH₃COO)₂·2H₂O、Zn(NO₃)₂·6H₂O、ZnCl₂、ZnSO₄中的一种。

4.根据权利要求1所述的用于硫化氢气体检测的MEMS气体传感器的制备方法，其特征在于：将芯片置于马弗炉中，于300-700℃退火1-4h，升温速率为1℃/min。

5.一种采用权利要求1-4中任一项所述的制备方法制得的用于硫化氢气体检测的MEMS气体传感器。