[发明专利]双大马士革工艺方法

权利要求书

1.一种双大马士革工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一层间膜、沟槽刻蚀停止层和第二层间膜，进行选择性刻蚀形成通孔的开口，所述通孔穿过所述第二层间膜、所述沟槽刻蚀停止层和所述第一层间膜；

步骤二、沉积光阻塞保护层，所述光阻塞保护层将所述通孔的开口完全填充并延伸到所述通孔的开口外的所述第二层间膜全部表面上；

步骤三、形成第一光刻胶图形将沟槽形成区域打开，所述第一光刻胶图形将所述沟槽形成区域外的所述光阻塞保护层覆盖，所述通孔的开口位于所述沟槽形成区域中；

步骤四、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述光阻塞保护层进行回刻，回刻后所述沟槽形成区域的所述第二层间膜表面打开；

步骤五、以所述第一光刻胶图形为掩膜以及以所述沟槽刻蚀停止层为停止层对所述第二层间膜进行刻蚀形成沟槽；

步骤六、去除所述第一光刻胶图形和所述光阻塞保护层。

2.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：步骤六之后，还包括在所述沟槽和所述通孔的开口中同时形成铜层，由填充于所述通孔的开口中的铜层组成所述通孔，由填充于所述沟槽中的铜层组成铜连线。

3.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：在所述第一层间膜的底部表面和所述半导体衬底的顶部表面之间还形成底层金属层连线以及用于隔离所述底层金属层连线的底层介质膜。

4.如权利要求3所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：在所述底层金属层连线和所述底层介质膜的表面还形成有金属扩散阻挡层。

5.如权利要求4所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：步骤一中，所述通孔的开口刻蚀停止在所述金属扩散阻挡层中；

步骤五中，所述沟槽刻蚀完成后还包括将残留在所述通孔的开口底部的所述金属扩散阻挡层去除的步骤。

6.如权利要求4所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

7.如权利要求3所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述底层金属层连线的材料包括铜。

8.如权利要求6所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第一层间膜的材料为二氧化硅。

9.如权利要求6所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述第二层间膜的材料为二氧化硅。

10.如权利要求6所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述沟槽刻蚀停止层的材料为氮化硅。

11.如权利要求6所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述金属扩散阻挡层的材料为氮化硅或者氮掺杂碳化硅。

12.如权利要求1或6所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述光阻塞保护层采用底部抗反射涂层。

13.如权利要求1所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：步骤一中所述通孔的开口的刻蚀区域采用第二光刻胶图形定义。

14.如权利要求13所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：在形成所述第二光刻胶图形之前还包括在所述第二层间膜表面形成DARC层的步骤；所述DARC层在所述第二光刻胶图形去除之后去除。

15.如权利要求14所述的双大马士革工艺方法，其特征在于：所述DARC层的材料包括SiON。