[发明专利]一种平面型纳米沟道真空场发射三极管装置

权利要求书

1.一种平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，包括导电薄膜和器件电极，所述导电薄膜搭载在器件电极上，其特征在于，所述导电薄膜的上方或下方增设一层或多层热传输层，所述热传输层的制备材料为绝缘性能和热导率良好的材料。

2.根据权利要求1所述平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，其特征在于，还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述导电薄膜、器件电极的下方，在所述栅绝缘层和所述器件电极之间增设所述热传输层，所述热传输层设置在所述导电薄膜的下方且与所述导电薄膜相接触。

3.根据权利要求1所述平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，其特征在于，还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述导电薄膜、器件电极的下方，在所述导电薄膜的上方增设所述热传输层，所述热传输层搭载在所述导电薄膜上，或所述热传输层搭载在所述导电薄膜和器件电极上。

4.根据权利要求1所述平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，其特征在于，还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述导电薄膜、器件电极的下方，在所述栅绝缘层和所述器件电极之间增设所述热传输层，同时在所述导电薄膜的上方增设所述热传输层，所述热传输层与所述导电薄膜相接触。

5.根据权利要求1所述平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，其特征在于，还包括栅极，所述栅极设置在所述导电薄膜、器件电极的下方，在所述栅极和所述器件电极之间增设所述热传输层，所述热传输层设置在所述导电薄膜的下方且与所述导电薄膜相接触。

6.根据权利要求1所述平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，其特征在于，还包括栅极，所述栅极设置在所述导电薄膜、器件电极的下方，在所述栅极和所述器件电极之间增设所述热传输层，同时在所述导电薄膜的上方增设所述热传输层，所述热传输层与所述导电薄膜相接触。

7.根据权利要求1-6任一项所述平面型纳米沟道真空场发射三极管装置，其特征在于，所述热传输层的制备材料包含金刚石、类金刚石、高阻碳化硅、氧化铍陶瓷、氮化硼、氮化铝中的任一种。