[发明专利]体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备

说明书

本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；压电层；和顶电极，其中：所述谐振器还包括声阻层，所述声阻层设置在第一层与第二层之间，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于声学镜边界的内侧，所述声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻；所述谐振器还包括凸起结构。进一步的，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的外侧，或者所述声阻层的内边缘在水平方向上与所述凸起结构的内边缘齐平。本发明还涉及体声波谐振器组件，一种滤波器和一种电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其组件，一种滤波器和一种电子设备。

背景技术

随着5G通信技术的日益发展，对数据传输速率的要求越来越高。与数据传输速率相对应的是频谱资源的高利用率和频谱的复杂化。通信协议的复杂化对于射频系统的各种性能提出了严格的要求，在射频前端模块，射频滤波器起着至关重要的作用，它可以将带外干扰和噪声滤除掉以满足射频系统和通信协议对于信噪比的要求。

传统的射频滤波器受结构和性能的限制，不能满足高频通信的要求。薄膜体声波谐振器(FBAR)作为一种新型的MEMS器件，具有体积小、质量轻、插入损耗低、频带宽以及品质因子高等优点，很好地适应了无线通信系统的更新换代，使FBAR技术成为通信领域的研究热点之一。

FBAR利用TE模式的振动进行机械能和电能的转换以实现滤波特性。理想的FBAR是只存在纵向的纵波振动。但是，实际中的FBAR无法按照单纯的纵波形式振动，而是会产生一定的振动横波，这些横波会将一定的能量泄露至谐振器外部，因此影响谐振器的Q值。所以如何防止谐振器的横波的泄露，是FBAR需要解决的重点问题。

在现有的结构中，利用设置在压电层上方的悬翼结构和凸起结构来制造横波的反射界面防止横波的泄露。上述结构对于谐振器上半部分的能量泄露有一定的抑制作用，但是对于谐振器下部的能量泄露并无希望的抑制作用。

随着5G时代来临，在现有技术中，存在进一步减少谐振器上部和/或下部的横波泄露来提升谐振器的性能的需求。

发明内容

为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

压电层，所述压电层包括第一层和第二层，第一层在谐振器的厚度方向上处于第二层的下方；和

顶电极，

其中：

所述谐振器还包括声阻层，所述声阻层设置在第一层与第二层之间，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于声学镜边界的内侧，所述声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻；

所述谐振器还包括凸起结构。

本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器组件，包括至少两个体声波谐振器，其中至少一个体声波谐振器为上述的谐振器。

本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的谐振器或组件。

本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器或上述的组件。

附图说明

以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：

图1为示例性示出凸起结构(OB结构)的宽度与谐振器的并联谐振阻抗Rp之间的关系图；

图2为示例性示出AW结构或声阻层结构的宽度与谐振器的并联谐振阻抗Rp之间的关系图；