[发明专利]体声波谐振器及组件、滤波器、电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

压电层，所述压电层包括第一层和第二层，第一层在谐振器的厚度方向上处于第二层的下方；和

顶电极，

其中：

所述谐振器还包括声阻层，所述声阻层设置在第一层与第二层之间，所述声阻层的内边缘在水平方向上处于声学镜边界的内侧，所述声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻；

所述谐振器还包括凸起结构。

2.根据权利要求1的谐振器，其中：

所述声阻层的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的外侧，或者所述声阻层的内边缘在水平方向上与所述凸起结构的内边缘齐平。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述凸起结构包括第一凸起结构，所述第一凸起结构设置于顶电极上方，或顶电极与第二层之间，或底电极与第一层之间。

4.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述凸起结构包括设置在第一层与第二层之间的第一凸起结构。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

所述第一凸起结构的一部分位于声阻层上方而覆盖所述声阻层；或者

所述第一凸起结构的一部分位于声阻层下方而被所述声阻层覆盖。

6.根据权利要求3或4所述的谐振器，其中：

所述谐振器还包括桥翼部，所述桥翼部与第二层之间限定附加声阻层，所述附加声阻层的声阻不同于所述压电层的声阻。

7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

所述附加声阻层的内边缘在水平方向上处于所述声阻层的内边缘的内侧或外侧。

8.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

所述凸起结构还包括附加凸起结构，所述附加凸起结构在上方覆盖所述附加声阻层。

9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：

所述附加凸起结构的内边缘在水平方向上处于所述附加声阻层的内边缘的内侧，或者所述附加凸起结构的内边缘在水平方向与所述附加声阻层的内边缘齐平。

10.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

所述桥翼部包括设置在电极连接端的桥结构和/或设置在电极非连接端的悬翼结构。

11.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

所述凸起结构还包括附加凸起结构，所述附加凸起结构设置于顶电极上方，或顶电极与第二层之间，或底电极与第一层之间。

12.根据权利要求10或11所述的谐振器，其中：

所述附加凸起结构的内边缘在水平方向上处于所述凸起结构的内边缘的内侧。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：

所述谐振器还包括凹陷结构，所述凹陷结构在水平方向上处于所述凸起结构的内侧。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：

第一层与第二层中的一层为另一层的掺杂层；或者

第一层与第二层均为同一材料的掺杂层，第一层的掺杂浓度不同于第二层的掺杂浓度；或者

第一层的材料为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中的一种材料，而第二层为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾、钽酸锂中不同于第一层材料的材料。

15.一种体声波谐振器组件，包括：

至少两个体声波谐振器，其中至少一个体声波谐振器为根据权利要求1-14中任一项所述的谐振器。