[发明专利]一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011132600.5 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114389151A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王朝旺;刘飞;张新;于军 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 韩献龙 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 晶格 电子 阻挡 功率 algainp 红光 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构-第一上限制层、腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、上过渡层和帽层；
所述超晶格结构-第一上限制层由(Al1-x6Gax6)y4In1-y4P/Alx7In1-x7P超晶格结构层和Al0.5In0.5P第一上限制层组成；或者，为Al0.5In0.5P限制层1-(Al1-x6Gax6)y4In1-y4P/Alx7In1-x7P超晶格结构层-Al0.5In0.5P限制层2；
其中，0.25≤x6≤0.35，0.4≤y4≤0.65；0.25≤x7≤0.45。
2.根据权利要求1所述具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器，其特征在于，所述小功率AlGaInP红光半导体激光器包括以下条件中的一项或多项：
i、衬底为GaAs衬底；
ii、缓冲层为GaAs缓冲层；
iii、下过渡层为Ga0.5In0.5P下过渡层；
iv、下波导层为(Al1-x1Gax1)y1In1-y1P下波导层，0.05≤x1≤0.6，0.4≤y1≤0.6，x1由0.05线性渐变至0.6；
v、第一量子阱为Ga1-x2Inx2P第一量子阱，0.3≤x2≤0.5；
vi、垒层为(Al1-x3Gax3)y2In1-y2P垒层，0.3≤x3≤0.6，0.4≤y2≤0.6；
vii、第二量子阱为Ga1-x4Inx4P第二量子阱，0.3≤x4≤0.5；
viii、上波导层为(Al1-x5Gax5)y3In1-y3P上波导层；0.05≤x5≤0.6，0.4≤y3≤0.6，x5由0.6线性渐变至0.05；
ix、腐蚀终止层为Ga1-x8Inx8P腐蚀终止层，0.4≤x8≤0.5；
x、上过渡层为Ga0.5In0.5P上过渡层；
xi、帽层为GaAs帽层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东华光光电子股份有限公司，未经山东华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011132600.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
