[发明专利]电子系统装置及其启动方法

权利要求书

1.一种电子系统装置，包括：

功率生成装置，所述功率生成装置生成第一电源电压，并且供应第一电源节点；

衬底偏置生成电路，所述衬底偏置生成电路经由所述第一电源节点而被连接至所述功率生成装置，并且基于所述第一电源电压来生成衬底偏置电压；

第一存储器电路，所述第一存储器电路经由所述第一电源节点而被连接至所述功率生成装置，并被配置有场效应晶体管；

第一控制开关，所述第一控制开关被连接到所述衬底偏置生成电路，

第一电容器，所述第一电容器经由第二电源节点而被连接到所述第一控制开关，并从所述衬底偏置生成电路接收所述衬底偏置电压；以及

电源监控电路，所述电源监控电路被连接到所述第一电源节点，并且基于所述第一电源节点的电压来控制所述第一控制开关，

其中当所述电源监控电路将所述第一控制开关设置为接通状态时，所述衬底偏置生成电路基于所述衬底偏置电压，将电荷存储到所述第一电容器，

其中当所述电源监控电路将所述第一控制开关设置为关断状态时，所述第一电容器保持所累积的所述电荷，

其中当所述电源监控电路将所述第一控制开关设置为接通状态时，所述衬底偏置生成电路基于所述衬底偏置电压，将电荷添加到已被保持的电荷，以通过所注入的电荷来获得反向偏置电压；并且

其中所述衬底偏置生成电路将所述反向偏置电压供应给所述场效应晶体管的阱区。

2.根据权利要求1所述的电子系统装置，其中所述场效应晶体管是SOTB晶体管，

其中所述SOTB晶体管包括：

衬底；

阱区，所述阱区被形成在所述衬底上；

半导体层，所述半导体层通过绝缘膜被形成在所述阱区上；

源极区、漏极区和沟道区，被形成在所述半导体层中；以及

栅极电极，所述栅极电极经由栅极绝缘膜而被设置在所述沟道区上。

3.根据权利要求2所述的电子系统装置，还包括：

衬底偏置监控电路，所述衬底偏置监控电路被连接到所述第二电源节点，并且基于所述第二电源节点的电压来控制所述衬底偏置生成电路，

其中所述衬底偏置监控电路具有第一阈值电压，

其中当所述第二电源节点的所述电压通过所注入的所述电荷而达到所述第一阈值电压时，所述衬底偏置监控电路将控制信号供应给所述衬底偏置生成电路，并且

其中所述衬底偏置生成电路基于所述控制信号，将所述反向偏置电压供应给所述场效应晶体管的所述阱区。

4.根据权利要求3所述的电子系统装置，还包括：

功率开关，所述功率开关经由所述第一电源节点而被连接至所述功率生成装置，

其中所述衬底偏置生成电路经由所述功率开关而被连接至所述第一电源节点，

其中所述电源监控电路基于所述第一电源节点的所述电压来控制所述功率开关和所述控制开关，并且所述电源监控电路具有第二阈值电压和第三阈值电压，

其中当所述第一电源节点的所述电压达到所述第二阈值电压时，所述电源监控电路将所述功率开关和所述控制开关从关断状态设置为接通状态，并且

其中当所述第一电源节点的所述电压达到所述第三阈值电压时，所述电源监控电路将所述功率开关和所述控制开关从接通状态设置为关断状态。