[发明专利]一种掩膜版存储使用一体装载盒在审
申请号: | 202011121526.7 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112198755A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 钱超;杨波 | 申请(专利权)人: | 江苏高光半导体材料有限公司 |
主分类号: | G03F1/66 | 分类号: | G03F1/66;B65D83/08 |
代理公司: | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人: | 肖念 |
地址: | 212400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 存储 使用 一体 装载 | ||
1.一种掩膜版存储使用一体装载盒,包括保存筒(1),所述保存筒(1)内设空腔,其特征在于,所述空腔的内顶面的中心处固定连接有驱动机构(2),所述空腔内还设有用于配合驱动机构(2)的存料机构(3),所述保存筒(1)的顶面上贯穿开设有用于配合存料机构(3)的取料口,所述保存筒(1)上还设有用于配合取料口的开合机构(4),所述空腔的内底部还固定连接有换气机构(5),所述换气机构(5)的两端均与存料机构(3)连通设置。
2.根据权利要求1所述的掩膜版存储使用一体装载盒,其特征在于,所述驱动机构(2)包括固定连接于空腔内顶面的连接柱(6),所述连接柱(6)的一端固定连接有连接杆(7),所述连接杆(7)上固定连接有驱动电机(8),所述驱动电机(8)的驱动轴上同轴固定连接有齿轮(9)。
3.根据权利要求2所述的掩膜版存储使用一体装载盒,其特征在于,所述存料机构(3)包括设置于空腔内的转动筒(10),所述转动筒(10)与空腔的内顶面转动连接,所述转动筒(10)的内测壁上同轴固定连接有齿环(11),所述齿环(11)与齿轮(9)啮合,所述转动筒(10)的外侧壁上设有多个升降机构(12),所述转动筒(10)的外侧壁上还套设有第一环形板(13),所述第一环形板(13)与转动筒(10)转动密封连接,所述第一环形板(13)上设有用于配合升降机构(12)的顶升机构(14),所述转动筒(10)的侧壁上开设有多个贯穿的气孔(15)。
4.根据权利要求3所述的掩膜版存储使用一体装载盒,其特征在于,所述升降机构(12)包括设置于转动筒(10)外侧壁上的多条第一滑槽(16),所述第一滑槽(16)内滑动连接有与之相匹配的第一滑块(17),所述第一滑块(17)上固定连接有第一伸缩杆(18),所述第一伸缩杆(18)上套设有第一弹簧(19),所述转动筒(10)外侧壁上同轴固定连接有第二环形板(20),所述第二环形板(20)的外侧边缘同轴设有卡槽(21),所述卡槽(21)内滑动连接有卡条(22),所述卡条(22)与保存筒(1)的内壁同轴固定连接,所述第二环形板(20)的端面上还有多条分割缝(23),所述第二环形板(20)的端面上设有多个上下贯通的开口,所述开口设置于多条分割缝(23)之间,所述开口内设有夹紧机构(24),所述夹紧机构(24)与第一滑块(17)固定连接。
5.根据权利要求4所述的掩膜版存储使用一体装载盒,其特征在于,所述夹紧机构(24)包括设置于开口内的第一顶板(25),所述第一顶板(25)上固定连接有固定块(26),所述固定块(26)上设有多条嵌槽,所述嵌槽的内壁上固定连接有多个海绵块,所述嵌槽内卡设有一对卡接盒(27),两块所述卡接盒(27)相互卡合且其内壁上固定连接有橡胶条(28),所述第一顶板(25)上固定连接有连接板(29),所述连接板(29)远离第一顶板(25)的一端固定连接有第二顶板(30)。
6.根据权利要求5所述的掩膜版存储使用一体装载盒,其特征在于,所述顶升机构(14)包括固定连接于第一环形板(13)上的液压杆(31),所述液压杆(31)上固定连接有第三顶板(32),所述第三顶板(32)的尺寸与第一顶板(25)相同,所述第三顶板(32)的下端固定连接有一对固定杆(34),所述固定杆(34)倾斜设置,两根所述固定杆(34)分别设置于液压杆(31)的两侧,两根所述固定杆(34)远离第三顶板(32)的一端分别固定连接有竖直的隔板(35)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏高光半导体材料有限公司,未经江苏高光半导体材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011121526.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制备N,N’-二异丙基硫脲的方法
- 下一篇:一种电动汽车测试装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备