[发明专利]太阳能电池和光伏组件

说明书

本申请提供了一种太阳能电池和光伏组件，涉及太阳能电池领域。该太阳能电池包括：半导体衬底，半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；位于第一表面的第一电介质层；位于第一电介质层表面的第一N+掺杂层；位于第一N+掺杂层表面的第一钝化层和/或第一减反层；位于第一钝化层和/或第一减反层表面的第一电极；位于第二表面的第二电介质层；位于第二电介质层表面的第一P+掺杂层；位于第一P+掺杂层表面的第二钝化层和/或第二减反层；位于第二钝化层和/或第二减反层表面的第二电极。本申请能够缓解钝化接触结构应用于电池正面需要在横向传输和多晶硅薄膜吸光之间相互平衡的限制，实现高开路电压的同时提升电池短路电流。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池和光伏组件。

背景技术

近年来，随着科学技术等的发展，太阳能电池从最初的理论上最清洁的取之不尽用之不竭的能源，一步步变成如今能稳定大规模生产供能的能源，太阳能电池的产量也在年年攀升。且随着光伏行业的发展，提升太阳能电池的转换效率也成为光伏企业追求的目标。为了实现太阳能电池的高效率，人们设计多种电池结构，其中，钝化接触技术(TunnelOxide Passivated Contact，TOPCon)是在电池的背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，以形成钝化接触结构，具有高效率、长寿命、无LID和弱光响应好等优点。另外，在现有的太阳能电池中，双面太阳能电池由于能利用双面吸收光线，大大提升了单位面积的电池的光电转换效率，因而越来越受到各界的关注。

目前，常见的N型钝化接触太阳能电池，基体为N型硅，电池正表面为p+型掺杂层，背表面为超薄氧化硅层和n+重掺杂的多晶硅层。可知，一般钝化接触设置在电池的背面，若要实现电池正面的钝化接触或电池双面的钝化接触，需要模仿HIT(Heterojunction withintrinsic Thinlayer)电池结构，在电池的正面使用ITO(透明导电层)以解决超薄多晶硅的横向传输问题。然而，一方面，ITO虽然是透明导电氧化物，但是也会造成一定的吸光损失，影响电池的转换效率；另一方面，ITO使用后，不能与现有高温产线和高温金属化工艺兼容，对于现有的电池生产线的升级成本要求很高。

发明内容

本申请的目的在于提供一种太阳能电池和光伏组件，能够缓解钝化接触结构应用于电池正面需要在横向传输和多晶硅薄膜吸光之间相互平衡的限制，实现高开路电压的同时提升电池短路电流。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：

根据本申请的一个方面，本申请提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；

位于所述第一表面的第一电介质层；

位于所述第一电介质层表面的第一N+掺杂层；

位于所述第一N+掺杂层表面的第一钝化层和/或第一减反层；

位于所述第一钝化层和/或第一减反层表面的第一电极；

位于所述第二表面的第二电介质层；

位于所述第二电介质层表面的第一P+掺杂层；

位于所述第一P+掺杂层表面的第二钝化层和/或第二减反层；

位于所述第二钝化层和/或第二减反层表面的第二电极。

在一种可能的实现方式中，所述第一电介质层包括氧化硅、氧化铪、氧化钛、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝中的至少一种；

所述第一电介质层的厚度为0.5nm-3nm。

在一种可能的实现方式中，所述第一N+掺杂层的掺杂浓度为5×10¹⁹-6×10²⁰cm^-3；