[发明专利]清洁制造OLED使用的真空系统的方法及制造OLED的方法和设备

权利要求书

1.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法，包括：

执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分，所述预清洁是湿式化学清洁工艺；以及

使用远程等离子体源执行等离子体清洁，

其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体，

其中所述预清洁是在大气下执行的，且所述等离子体清洁是在真空下执行的，并且

其中所述预清洁在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行，并且

其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁包括真空腔室的清洁。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空腔室的一个或多个内壁的清洁。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空系统的真空腔室内的多个元件的清洁。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述元件从由以下元件所组成的群组中选择：机械元件、可移动元件、驱动器、阀、及上述的任何组合。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁包括在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述方法是在所述真空系统或所述真空系统的部分的维护程序之后执行的。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁是在所述真空系统的一个或多个腔室中进行的，所述一个或多个腔室是从由以下腔室所组成的群组中选择的：负载锁定腔室、清洁腔室、真空沉积腔室、真空处理腔室、传送腔室、路由模块及上述的任何组合。

10.根据权利要求2所述的方法，其中作为所述最终清洁程序的所述等离子体清洁提供在小于10^-9克/平方厘米的范围内的清洁水平。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述腔室的所述压力被降低至10^-2毫巴或更低以执行所述等离子体清洁。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述腔室的所述压力被降低至介于10^-5毫巴和10^-8毫巴之间的压力以执行所述等离子体清洁。

13.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括：

在所述等离子体清洁之后在基板上沉积一层或多层的有机材料。

14.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法，包括：

执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分，所述预清洁是湿式化学清洁工艺；以及

使用远程等离子体源执行等离子体清洁，

其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体，

其中所述预清洁是在大气下执行的，且所述等离子体清洁是在真空下执行的，

其中所述预清洁和所述等离子体清洁包括在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁，

其中所述一个或多个掩模装置的所述预清洁是在腔室外执行的，

其中所述一个或多个掩模装置的所述等离子体清洁是在所述一个或多个掩模装置被移动到所述腔室中后执行的，并且

其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的。