[发明专利]一种羟基磷灰石纳米涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种制备羟基磷灰石纳米涂层的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，将聚醚醚酮用酸液浸泡后依次清洗、烘干，得到表面具有纳米多孔网状结构的聚醚醚酮；

步骤2，在真空度等于或小于6×10^-3Pa的条件下，在步骤1得到的聚醚醚酮的纳米多孔网状结构表面上进行离子溅射，聚醚醚酮的纳米多孔网状结构表面上均匀地形成纳米金原子层；

步骤3，以石墨棒为阳极、步骤2得到的处理后的聚醚醚酮为阴极，在电解液中进行电化学沉积处理1～5min，电解液中硝酸钙的浓度为0.02～0.04mol/L，磷酸二氢铵的浓度为0.025～0.05mol/L，氟化钠的浓度为0.06～0.12mM，过氧化氢的浓度为0.05～0.16mol/L，在聚醚醚酮表面得到羟基磷灰石纳米涂层。

2.根据权利要求1所述的制备羟基磷灰石纳米涂层的方法，其特征在于，步骤1中使用的酸液为质量分数为90％～98％的硫酸溶液。

3.根据权利要求2所述的制备羟基磷灰石纳米涂层的方法，其特征在于，步骤1将聚醚醚酮用所述的硫酸溶液浸泡30秒～120秒。

4.根据权利要求1所述的制备羟基磷灰石纳米涂层的方法，其特征在于，步骤1将聚醚醚酮用酸液浸泡后用1～5M的NaOH溶液超声15～30分钟，之后用去离子水冲洗，紧接着用去离子水超声2～3次，每次超声15～30分钟，最后烘干。

5.根据权利要求1所述的制备羟基磷灰石纳米涂层的方法，其特征在于，步骤2中离子溅射时的电流为3～4mA，溅射120～150秒。

6.根据权利要求1所述的制备羟基磷灰石纳米涂层的方法，其特征在于，步骤3中电化学沉积时采用恒定的直流电源，电流为0.3～0.5A。

7.根据权利要求1所述的制备羟基磷灰石纳米涂层的方法，其特征在于，步骤3中沉积时的温度为40～80℃，阴极和阳极的间距为8～12cm。

8.一种由权利要求1～7中任意一项所述的制备羟基磷灰石纳米涂层的方法得到的羟基磷灰石纳米涂层。

9.根据权利要求8所述的羟基磷灰石纳米涂层，其特征在于，所述的羟基磷灰石纳米涂层为纳米片、纳米掌形或纳米棒状。