[发明专利]多频基站天线有效
| 申请号： | 202011056039.7 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112290214B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李明超;徐慧俊;赖展军;王宇;郑之伦;刘培涛 | 申请（专利权）人： | 京信通信技术（广州）有限公司;京信射频技术（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/52 | 分类号： | H01Q1/52;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q1/24 |
| 代理公司： | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人： | 林伟斌;欧秋望 |
| 地址： | 510730 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基站 天线 | ||
1.一种多频基站天线，其特征在于，包括反射板及设于所述反射板上的至少一个高频辐射单元和至少一个低频辐射单元，所述低频辐射单元包括辐射臂，所述辐射臂包括依次串接的多个高频带阻滤波单元；
所述高频带阻滤波单元为若干个导体段构成的等效LC电路，所述LC电路由电感L、电容C1、电容C2和电容C3构成，具体为所述电感L、所述电容C1和所述电容C2串联后与所述电容C3并联的电路；
所述高频带阻滤波单元包括第一导体段、第二导体段和第三导体段；
所述第一导体段包括第一子导体段和第二子导体段，所述第一子导体段与所述第二导体段相对设置，所述第二子导体段与所述第一子导体段的一端连接并朝远离所述第二导体段的一侧弯折延伸；
所述第三导体段包括第三子导体段和第四子导体段，所述第三子导体段与所述第二导体段相对设置，所述第四子导体段与所述第三子导体段的一端连接并朝远离所述第二导体段的一侧弯折延伸；
所述第二导体段等效于电感L；
所述第二导体段的其中一端与所述第一子导体段的另一端连接，且所述第二导体段与所述第一子导体段之间形成第一缝隙，所述第一缝隙等效于电容C1；
所述第二导体段的另一端与所述第三子导体段的另一端连接，且所述第二导体段与所述第三子导体段之间形成第二缝隙，所述第二缝隙等效于电容C2；
所述第二子导体段与所述第四子导体段之间相对设置并形成第三缝隙，所述第三缝隙等效于电容C3。
2.根据权利要求1所述的多频基站天线，其特征在于，相邻连接的两个所述高频带阻滤波单元之间，通过其中一个所述高频带阻滤波单元的第二子导体段/第四子导体段与其相邻的高频带阻滤波单元的第四子导体段/第二子导体段连接，以使两个相邻的高频带阻滤波单元实现串接。
3.根据权利要求1所述的多频基站天线，其特征在于，相邻连接的两个所述高频带阻滤波单元之间通过复用第一导体段或第三导体段实现串接。
4.根据权利要求1～3任一项所述的多频基站天线，其特征在于，所述低频辐射单元包括四个所述辐射臂，四个所述辐射臂构成两对交叉极化的对称振子，所述辐射臂包括：至少一条辐射支路，所述辐射支路由若干个所述高频带阻滤波单元依次串接构成；
当所述辐射臂包括多条所述辐射支路时，所述辐射臂的多条所述辐射支路之间在靠近所述低频辐射单元中心的一端短路连接，在远离所述低频辐射单元中心的一端开路设置或短路连接。
5.根据权利要求4所述的多频基站天线，其特征在于，
当所述辐射臂包括多条所述辐射支路时，所述辐射臂的多条所述辐射支路之间在靠近所述低频辐射单元中心的一端经中心导体短路连接。
6.根据权利要求5所述的多频基站天线，其特征在于，当所述辐射臂包括多条所述辐射支路时，所述辐射支路靠近所述低频辐射单元中心的一端的高频带阻滤波单元的第二子导体段/第四子导体段与所述中心导体短路连接，以使所述辐射支路与所述中心导体实现短路连接。
7.根据权利要求5～6任一项所述的多频基站天线，其特征在于，
当所述辐射臂包括多条所述辐射支路时，相邻连接的两条辐射支路在远离低频辐射单元的中心的一端，通过其中一条所述辐射支路的高频带阻滤波单元的第二子导体段/第四子导体段与另一条所述辐射支路中的高频带阻滤波单元的第二子导体段/第四子导体段短路连接，以实现相邻的辐射支路之间的短路连接。
8.根据权利要求5～6任一项所述的多频基站天线，其特征在于，
当所述辐射臂包括多条所述辐射支路时，相邻连接的两条辐射支路在远离低频辐射单元的中心的一端，通过其中一条所述辐射支路的高频带阻滤波单元与另一条所述辐射支路中的高频带阻滤波单元复用第一导体段或第三导体段，以实现相邻的辐射支路之间的短路连接。
9.一种多频基站天线，其特征在于，包括反射板及设于所述反射板上的至少一个高频辐射单元和至少一个低频辐射单元，所述反射板上还设有用于防止所述高频辐射单元与所述低频辐射单元之间干扰的隔离条，所述隔离条上设有多个依次串接的高频带阻滤波单元，所述高频带阻滤波单元为若干个导体段构成的等效LC电路，所述LC电路为电感L与电容C1和C2串联后与电容C3并联的电路；
所述高频带阻滤波单元包括第一导体段、第二导体段和第三导体段；
所述第一导体段包括第一子导体段和第二子导体段，所述第一子导体段与所述第二导体段相对设置，所述第二子导体段与所述第一子导体段的一端连接并朝远离所述第二导体段的一侧弯折延伸；
所述第三导体段包括第三子导体段和第四子导体段，所述第三子导体段与所述第二导体段相对设置，所述第四子导体段与所述第三子导体段的一端连接并朝远离所述第二导体段的一侧弯折延伸；
所述第二导体段等效于电感L；
所述第二导体段的其中一端与所述第一子导体段的另一端连接，且所述第二导体段与所述第一子导体段之间形成第一缝隙，所述第一缝隙等效于电容C1；
所述第二导体段的另一端与所述第三子导体段的另一端连接，且所述第二导体段与所述第三子导体段之间形成第二缝隙，所述第二缝隙等效于电容C2；
所述第二子导体段与所述第四子导体段之间相对设置并形成第三缝隙，所述第三缝隙等效于电容C3。
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